Патенты автора Солдаткин Василий Сергеевич (RU)
СВЕТОДИОДНЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ // 2723967
Изобретение относится к полупроводниковым источникам оптического излучения на основе светодиодных нитей - филаментов, изготавливаемых из светодиодных гетероструктур. Заявленный светодиодный источник излучения содержит колбу, заполненную газом, имеющим низкий коэффициент вязкости и высокий коэффициент теплопроводности, в которой размещен держатель со штенгелем и стойкой сердечника, на которой закреплена объемная излучающая свет конструкция из светодиодных нитей, цоколь и устройство питания, электрически соединенное по переменному току с цоколем, а положительным и отрицательным электродами со светодиодными нитями. Внутренняя поверхность колбы покрыта оптически прозрачным электропроводящим материалом. Дополнительно введен источник свободных электронов, температурно сопряженный со светодиодными нитями, причем оптически прозрачный электропроводящий материал электрически соединен с положительным электродом устройства питания, а источник свободных электронов - с отрицательным. Технический результат - повышение эффективности охлаждения источника излучения в процессе его работы. 1 ил.
Изобретение относится к полупроводниковым источникам света на основе гетероструктур типа InxGa1-xN/GaN, главным образом к светодиодным источникам. Технический результат достигается тем, что в светодиодной гетероструктуре с квантовыми ямами комбинированного профиля, содержащей подложку из сапфира, с нанесенными на ней последовательно буферным слоем, выполненным из нелегированного GaN, n-эмиттерным слоем, выполненным в виде слоя GaN, легированного кремнием, и р-эмиттерным слоем GaN, легированным магнием, активная область, расположенная между n-эмиттерным и р-эмиттерным слоями, состоит из нескольких квантовых ям с комбинированным профилем, полученным наложением двух и более квантовых ям прямоугольного профиля, геометрические центры которых совмещены и находятся на осевой линии квантовой ямы комбинированного профиля. Каждая квантовая яма с комбинированным профилем получена последовательным нанесением n слоев, InxGa1-xN, образующих последовательность вида члены которой отличаются друг от друга процентным содержанием индия в соседних слоях: х1,х2,…,xn,…,х2,х1, так что xi=x1qi-1, где i=2,…,n и q>1, а также тем, что толщина каждой последующей ямы ak, где k=2,…,n, увеличивается по сравнению с толщиной предыдущей ямы ak-1 на постоянную величину р>1, являющуюся множителем геометрической прогрессии ak=ak-1⋅p, и имеет высоту, обеспечивающую размещение в ней только двух уровней размерного квантования. Каждая квантовая яма комбинированного профиля отделена от других ям комбинированного профиля барьерным слоем на основе GaN. Техническим результатом изобретения является увеличение интенсивности излучения, генерируемого светодиодной гетероструктурой. Увеличение интенсивности излучения при заданном значении полного тока через гетероструктуру, представляющего собой сумму тока инжекции в ямы и сквозного тока, происходит за счет увеличения тока неравновесных носителей заряда, захватываемых квантовой ямой и рекомбинирующих в ней, при одновременном уменьшении тока, создаваемого носителями, которые протекают через светодиод, не взаимодействуя с квантовыми ямами вообще, или захватываемыми ямами, но впоследствии эмитируемыми в барьерные слои гетероструктуры без их излучательной рекомбинации. 2 ил.
Изобретение относится к светотехнике, в частности к электронным устройствам включения в сеть переменного тока световых приборов, в которых в качестве источников света использованы группы светоизлучающих полупроводниковых светодиодов (СИД). Известные светодиодные приборы такого рода имеют высокий коэффициент пульсаций светового потока, что оказывает отрицательное влияние на общую и зрительную работоспособность. Сущность изобретения заключается в том, что в схему подключения светодиодного светового прибора в сеть переменного тока, содержащую n (n=2, 3, …) последовательно соединенных СИД, диодный выпрямитель, положительной выход которого подключен к аноду первого СИД, первый резистор, одним выводом подключенный к отрицательной выходной клемме диодного выпрямителя, введены n управляемых нормально разомкнутых ключей и n-1 управляемых ключей, работающих на переключение, резисторный делитель напряжения из последовательного соединенных двух резисторов, включенный параллельно выходу диодного выпрямителя, и контроллер с процессором и двумя АЦП. Предлагаемая схема имеет на 42% меньшее значение коэффициента пульсации и не оказывает влияния на общую и зрительную работоспособность. 2 ил.
Использование: для подключения светового прибора в сеть переменного тока. Сущность изобретения заключается в том, что схема включения светодиодного светового прибора в сеть переменного тока содержит n (n=2, 3, …) последовательно соединенных СИД, диодный выпрямитель, положительный выход которого подключен к аноду первого СИД, первый резистор, одним выводом подключенный к отрицательной выходной клемме диодного выпрямителя, при этом в схему введены n управляемых ключей, причем первый ключ подключен параллельно второму СИД, второй ключ подключен параллельно третьему СИД, …, n-1 ключ - параллельно n-му СИД, первый вывод n-го ключа подключен к катоду n-го СИД, а второй вывод - ко второму выводу первого резистора, контроллер с процессором и двумя АЦП, резисторный делитель напряжения из последовательно соединенных второго и третьего резисторов, включенный параллельно выходу диодного выпрямителя, дифференциальные входы первого АЦП подключены к первому резистору, дифференциальные входы второго АЦП подключены к третьему резистору, а n выходов процессора подключены соответственно к управляющим входам первого, второго, …, n-го управляемых ключей. Технический результат: обеспечение возможности увеличения светового потока, уменьшения эмиссии гармоник в электрическую сеть и увеличения значения коэффициента мощности устройства. 2 ил.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ // 2511280
Изобретение относится к области оптоэлектроники, конкретно к полупроводниковым источникам излучения инфракрасного, видимого и ультрафиолетового диапазонов длин волн. Оно может найти применение при создании современных светотехнических изделий и систем. Изобретение может быть использовано также в СВЧ микроэлектронике при создании монолитных усилителей мощности и в силовой электронике при создании монолитных преобразователей. В полупроводниковом источнике излучения (ИИ) генерирующая излучение монолитная матрица p-n мезоструктур на теплопроводящей диэлектрической подложке установлена внутри кристаллодержателя, выполненного в виде устройства с высокой скоростью отбора тепла от кристалла и передачи его всей конструкции кристаллодержателя. Кристаллодержатель, содержащий диэлектрическую крышку, спаянную с металлическим основанием, вместе с матрицей p-n мезоструктур, вставленной в окно диэлектрической крышки и соединенной с ней пайкой по краям окна, образует герметичную полость, частично заполненную капиллярно-пористым материалом. На тыловой поверхности подложки кристалла и смежной с ней внутренней поверхности диэлектрической крышки сформирована единая сеть капиллярных каналов. Это обеспечивает многократное снижение теплового сопротивления полупроводникового источника излучения и обеспечивает равномерное распределение температуры по площади кристалла. На поверхности диэлектрической крышки сформированы входные контакты, обеспечивающие надежность и удобство монтажа изделия. Изобретение обеспечивает возможность уменьшения теплового сопротивления ИИ и увеличение излучаемой ИИ мощности, создание конструкции ИИ, позволяющей получать изделия светотехники с большой площадью излучения, компактно расположенных светоизлучающих матриц. Кроме этого, при наличии плотного расположения элементарных ИИ решается задача получения ИИ с наиболее высокой плотностью мощности (яркости) излучения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
