Патенты автора МЮЛДЕР Марсель (NL)
ДАТЧИК ДЛЯ ТЕКУЧИХ СРЕД С ШИРОКИМ ДИНАМИЧЕСКИМ ДИАПАЗОНОМ НА ОСНОВЕ НАНОПРОВОДНОЙ ПЛАТФОРМЫ // 2638130
Использование: для обнаружения концентрации вещества в образце текучей среды. Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит: подложку, расположенный на подложке изолирующий слой, множество расположенных на упомянутом электроизолирующем слое индивидуально адресуемых нанопроводов, причем каждый нанопровод из упомянутого множества нанопроводов покрыт изолирующим материалом, при этом множество нанопроводов выполнено с возможностью обнаружения присутствия вещества в образце текучей среды посредством измерения электрической характеристики нанопровода из множества нанопроводов, при этом каждый упомянутый нанопровод имеет длину, ширину и толщину, отделение для образцов для содержания упомянутого образца текучей среды, при этом упомянутое отделение для образцов расположено таким образом, что оно покрывает по меньшей мере часть каждого нанопровода из упомянутого множества нанопроводов, при этом упомянутая длина, упомянутая ширина и упомянутая толщина соответствующих нанопроводов имеют такие размеры, чтобы формировать различные диапазоны обнаружения вещества. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 4 ил.
Использование: для изготовления емкостного преобразователя. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит этапы, на которых осаждают первый электродный слой на подложку, осаждают первую диэлектрическую пленку на первый электродный слой, осаждают жертвенный слой на первую диэлектрическую пленку, причем жертвенный слой выполнен с возможностью удаления для формирования полости преобразователя, осаждают вторую диэлектрическую пленку на жертвенный слой и осаждают второй электродный слой на вторую диэлектрическую пленку, формируют рисунок в, по меньшей мере, одном(й) из осажденных слоев и пленок, причем этапы осаждения осуществляются посредством атомно-слоевого осаждения в одной единственной последовательности обработки и формирование рисунка осуществляется по нисходящей технологии. Технический результат: обеспечение возможности создания преобразователя с улучшенными эксплуатационными показателями. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.
Использование: для изготовления емкостного преобразователя, полученного микрообработкой, в частности CMUT. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит этапы, на которых осаждают первый электродный слой на подложку, осаждают первую диэлектрическую пленку на первый электродный слой, осаждают жертвенный слой на первую диэлектрическую пленку, причем жертвенный слой выполнен с возможностью удаления для формирования полости преобразователя, осаждают вторую диэлектрическую пленку на жертвенный слой и осаждают второй электродный слой на вторую диэлектрическую пленку, причем первая диэлектрическая пленка и/или вторая диэлектрическая пленка содержит первый слой, содержащий оксид, второй слой, содержащий материал с высокой k, и третий слой, содержащий оксид, причем этапы осаждения осуществляются посредством атомно-слоевого осаждения. Технический результат: обеспечение возможности создания емкостного преобразователя с улучшенными эксплуатационными показателями. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.
Настоящее изобретение относится к устройству (10) электронной схемы, содержащему: подложку (12), имеющую первую поверхность (12a) и вторую поверхность (12b), электронную схему, часть (16) электрического соединения для обеспечения электрического соединения с электронной схемой и расположенную на первой поверхности (12a) и по меньшей мере один электрический провод (18). Электрический провод (18) содержит по меньшей мере одну проводящую жилу (20) и изоляцию (22), окружающую проводящую жилу (20). Концевой участок (18a) электрического провода (18) является свободным от изоляции участком для предоставления доступа к проводящей жиле (20), причем концевой участок (18a) электрического провода (18) соединяется с частью (16) электрического соединения. В подложке (12) обеспечивается по меньшей мере одно сквозное отверстие (24), проходящее от первой поверхности (12a) ко второй поверхности (12b), причем электрический провод (18) пропускается через сквозное отверстие (24). Изобретение обеспечивает упрощение производства электронной схемы. 4 н. и 7 з.п. ф-лы, 13 ил.
Использование: для передачи и/или приема ультразвуковых волн посредством ультразвукового преобразователя. Сущность изобретения заключается в том, что устройство ультразвукового преобразователя содержит, по меньшей мере, одну ячейку (30) cMUT для передачи и/или приема ультразвуковых волн, причем ячейка (30) cMUT содержит мембрану (30a) ячейки и полость (30b) под мембраной ячейки. Устройство дополнительно содержит подложку (10), имеющую первую сторону (10a) и вторую сторону (10b), причем, по меньшей мере, одна ячейка (30) cMUT установлена на первой стороне (10a) подложки (10). Подложка (10) содержит слой (12) основания подложки и множество смежных канавок (17a), простирающиеся в подложку (10) в направлении, перпендикулярном сторонам (10a, 10b) подложки, причем каждый из разделителей (12a) образован между смежными канавками (17a). Подложка (10) дополнительно содержит соединительную полость (17b), которая соединяет канавки (17a) и которая простирается в направлении, параллельном сторонам (10a, 10b) подложки, причем канавки (17a) и соединительная полость (17b) вместе образуют полость (17) подложки в подложке (10). Подложка (10) дополнительно содержит мембрану (23) подложки, покрывающую полость (17) подложки. Полость (17) подложки расположена в области подложки (10) под ячейкой (30) cMUT. Технический результат: обеспечение возможности снижения или подавления акустической связи ультразвуковых волн с подложкой. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 32 ил.
Изобретение относится к устройству (10) с переходными отверстиями в подложке, содержащему подложку (12), выполненную из материала подложки и имеющую первую поверхность (12а) подложки и вторую поверхность (12b) подложки, противоположную первой поверхности (12а) подложки. Устройство (10) с переходными отверстиями в подложке также содержит множество соседних первых канавок (14), обеспеченных проводящим материалом и проходящих с первой поверхности (12а) подложки внутрь подложки (12), так что между первыми канавками (14) формируется множество спейсеров (16) из материала подложки. Устройство (10) с переходными отверстиями в подложке также содержит вторую канавку (18), обеспеченную проводящим материалом и проходящую со второй поверхности (12b) подложки внутрь подложки (12). Вторая канавка (18) соединена с первыми канавками (14). Устройство 10 с переходными отверстиями в подложке также содержит проводящий слой (20), выполненный из проводящего материала и сформированный на стороне первой поверхности (12а) подложки, причем проводящий материал заполняет первые канавки (14), так что первый проводящий слой (20) имеет по существу планарную и закрытую поверхность, покрывающую заполненные первые канавки и формирующую электрическое соединение между заполненными канавками. Изобретение обеспечивает создание усовершенствованного устройства с переходными отверстиями в подложке. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.
УСТРОЙСТВО ОБНАРУЖЕНИЯ ГАЗА // 2595288
Использование: для выборочного измерения концентрации целевого газа в загрязненном окружающем воздухе. Сущность изобретения заключается в том, что способ выборочного измерения концентрации целевого газа в загрязненном окружающем воздухе содержит следующие этапы: предоставление датчика целевого газа, чувствительного к целевому газу; предоставление первого газового потока, полученного из окружающего воздуха, причем из этого первого потока целевой газ, по существу, удален; предоставление второго газового потока, полученного из окружающего воздуха, по существу, содержащего ту же концентрацию целевого газа, что и окружающий воздух; воздействие на датчик целевого газа посредством первого газового потока в течение первого интервала времени и получения от датчика первого выходного сигнала (Smf); воздействие на датчик целевого газа посредством второго газового потока в течение второго интервала времени, не перекрывающегося с первым интервалом времени, и получения второго выходного сигнала (Smu); вычисление разности (SΔ) между первым и вторым выходными сигналами; вычисление концентрации целевого газа из вычисленной разности (SΔ) сигнала. Технический результат: обеспечение возможности создания датчика целевого газа, имеющего небольшой размер, низкие требования по питанию, минимальные требования по техническому обслуживанию в период эксплуатации, по меньшей мере, в течение нескольких лет, а также комбинацию высокой чувствительности и высокой избирательности относительно конкретного целевого газа или целевого класса газов. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 14 ил.
Настоящее изобретение относится к емкостному микрообработанному ультразвуковому преобразователю, системе для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн и к способу изготовления преобразователя. Заявленная группа изобретений включает емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь, систему для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн, содержащую преобразователь, и способы изготовления преобразователя.
При этом емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь содержит кремниевую подложку, полость, первый электрод, расположенный между кремниевой подложкой и полостью, причем первый электрод расположен под полостью, мембрану, в котором мембрана расположена над полостью и напротив первого электрода, второй электрод, расположенный внутри мембраны или рядом с ней, при этом первый электрод и второй электрод выполнены с возможностью подачи на них напряжения, и первый изоляционный слой, расположенный между первым электродом и вторым электродом, а первый изоляционный слой содержит диэлектрик. Система для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн содержит преобразователь согласно настоящему изобретению. Описан способ изготовления преобразователя по настоящему изобретению, в котором преобразователь изготавливают производственным процессом КМОП, и преобразователь можно изготавливать пост-процессом в процессе КМОП. Технический результат заключается в предотвращении зарядки путем добавления дополнительных слоев и получении преобразователей со стабильными характеристиками посредством установки по меньшей мере одного барьера, который расположен на траектории носителей заряда для прерывания потока носителей заряда, начинающегося на одном электроде и направленного к другому электроду. 4 н. и 9 з.п. ф-лы, 4 ил.
