Патенты автора Небогатикова Надежда Александровна (RU)
Изобретение может быть использовано в электронике при получении прозрачных электродов, дисплеев, беспроводных электронных устройств, элементов памяти, микропроцессоров, электронных паспортов, карточек, сенсоров, биосовместимых электронных имплантов. Сначала подготавливают суспензию графена с его концентрацией 0,01-10 мг/мл. Полученную суспензию графена фторируют при температуре 60-80 °С в растворе плавиковой кислоты с концентрацией 1-15 об.%, обеспечивающей достижение требуемой степени фторирования, протекание при фторировании процессов расслоения и фрагментации частиц суспензии с достижением латерального размера и толщины получаемых частиц фторографена, соответствующих частицам в чернилах. В процессе фторирования можно дополнительно осуществлять ультразвуковую обработку и/или центрифугирование. Затем производят выдержку в течение времени, достаточного для приобретения диэлектрических свойств. Изобретение позволяет сократить время изготовления суспензии фторографена для 2D печати диэлектрических слоев до 20 дней и менее. 12 з.п. ф-лы, 1 ил., 7 пр.
Изобретение может быть использовано при изготовлении элементов памяти для вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов и карточек. Измельчают природный очищенный графит, в полученный порошок интеркалируют растворитель, не приводящий к химическому окислению графита, но способствующий расслоению графита, например диметилформамид или N-метилпирролидон. Для расслоения частиц графита полученную смесь обрабатывают ультразвуком и получают суспензию с содержанием графена 50 %. Для фторирования графена вводят от 3 до 10 % плавиковой кислоты и от 40 до 47 % воды, включая указанные значения интервалов. Меньшему количеству плавиковой кислоты соответствует большее количество воды и наоборот. Осуществляют фторирование графена до степени 50-80 % в течение 20-60 дней, включая указанные значения. Затем формируют активный слой FG для резистивного элемента памяти, для чего профторированную суспензию наносят на подложку Si капельно или в сочетании с использованием спинкоултера, распределяя ее до требуемой толщины слоя, сушат и промывают в воде. По другому варианту профторированную суспензию сначала промывают, а затем наносят на подложку Si капельно или в сочетании с использованием спинкоултера, распределяя ее до требуемой толщины слоя, и сушат. Изобретение обеспечивает стабильность максимального резистивного эффекта. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 пр.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЯ ФТОРОГРАФЕНА // 2511613
Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для использования при создании современных тонкопленочных полупроводниковых приборов и структур наноэлектроники. В способе получения слоя фторографена от объемного графита отделяют слой требуемой толщины и размещают его на подложке. Затем проводят операцию фторирования с использованием плавиковой кислоты при условиях, обеспечивающих получение слоев фторографена толщиной до 10÷15 нм. При этом используют подложку кремния. На ее рабочей поверхности предварительно может быть выращен слой окиси кремния. Фторирование проводят в водном растворе плавиковой кислоты с содержанием 3÷7% HF длительностью обработки до 30 минут, но не менее tcr, при котором меняется проводимость фторируемых слоев. Кроме того, при фторировании используют температуры до 60°C. В результате достигается повышение качества слоев фторографена, снижение дефектности, уменьшение длительности процесса, повышение экологичности. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
