Патенты автора Смирнов Александр Дмитриевич (RU)

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания гексаферритовых магнитомягких материалов для индуктивных элементов дециметрового и сантиметрового частотного диапазонов. Гексаферритовый материал содержит следующее соотношение компонентов, вес.%: BaO - 18,21÷18,23; CoO - 5,95÷7,45; TiO2 - 0,10÷1,60; Fe2O3 - остальное. Изобретение позволяет получить магнитомягкий гексаферритовый материал с магнитной проницаемостью μн=10±2. 2 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания гексаферритовых магнитомягких материалов для индуктивных элементов дециметрового и сантиметрового частотного диапазонов. Гексаферритовый материал содержит следующее соотношение компонентов, вес.%: BaO - 18,21÷18,23; CoO - 5,95÷7,45; TiO2 - 0,10÷1,60; Fe2O3 - остальное. Изобретение позволяет получить магнитомягкий гексаферритовый материал с магнитной проницаемостью μн=10±2. 2 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания гексаферритовых магнитомягких материалов для индуктивных элементов дециметрового и сантиметрового частотного диапазонов. Гексаферритовый материал содержит следующее соотношение компонентов, вес.%: BaO - 18,21÷18,23; CoO - 5,95÷7,45; TiO2 - 0,10÷1,60; Fe2O3 - остальное. Изобретение позволяет получить магнитомягкий гексаферритовый материал с магнитной проницаемостью μн=10±2. 2 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания гексаферритовых магнитомягких материалов для индуктивных элементов дециметрового и сантиметрового частотного диапазонов. Гексаферритовый материал содержит следующее соотношение компонентов, вес.%: BaO - 18,21÷18,23; CoO - 5,95÷7,45; TiO2 - 0,10÷1,60; Fe2O3 - остальное. Изобретение позволяет получить магнитомягкий гексаферритовый материал с магнитной проницаемостью μн=10±2. 2 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, а именно к материалам, предназначенным для использования в высокочастотном и сверхвысокочастотном диапазонах. Предлагаемый керамический материал содержит следующие компоненты, вес. %: MgO 6,2-13,0; Al2O3 23,4-33,3; ZnO 1,3-12,5; Mn2O3 1,2-12,1; SiO2 - остальное. Технический результат изобретения - получение керамического материала с низким уровнем диэлектрических потерь tgδε ≤4⋅10-4, при сохранении низкой величины диэлектрической проницаемости ε΄ 4,0±0,2 и влагопоглощения ≤0,1%. Предлагаемый материал позволит расширить номенклатуру материалов и создаваемых на их основе современных высокодобротных радиоэлектронных устройств. 9 пр., 2 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания ферритовых материалов с большими величинами ширины линии спиновых волн, предназначенных для использования в СВЧ-диапазоне, в том числе при изготовлении ферритов для приборов высокого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн. Получение ферритового материала с большой величиной ширины линии спиновых волн с намагниченностью насыщения 1800 Гс, шириной кривой ферромагнитного резонанса 40 Э, действительной составляющей диэлектрической проницаемости 15,0, тангенсом угла диэлектрических потерь не более 2-10-4, температурой Кюри не менее 200°C и шириной линии спиновых волн на частоте 9,5 ГГц не менее 10 эрстед, является техническим результатом изобретения. Ферритовый материал содержит, вес. %: оксид иттрия (Y2О3) - 45,0-45,5, оксид самария (Sm2O3) - 1,2-1,3, оксид железа (Fe2О3) - остальное. Предлагаемый состав позволяет создать ферритовый материал с вышеуказанными параметрами для производства и разработки СВЧ-приборов высокого уровня мощности. 2 табл., 6 пр.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике. Технический результат изобретения заключается в получении плотного керамического материала с низкой диэлектрической проницаемостью ε′=4,2±0,2, сравнимой с органическими диэлектриками, с малыми диэлектрическими потерями tgδε≤7·10-4 и влагопоглощением менее 0,1%. Керамический материал с низкой диэлектрической проницаемостью содержит, вес. %: MgO 13,8-6,40; Al2O3 32,0-35,6; ZnO 0,2-13,5; SiO2 - остальное. 2 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания ферритовых материалов с большими величинами ширины линии спиновых волн, предназначенных для использования в СВЧ диапазоне, в том числе при изготовлении ферритов для приборов высокого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн. Ферритовый материал с большой шириной линии спиновых волн содержит в качестве базового состава оксиды железа, гадолиния и иттрия, и дополнительно оксид самария, при следующем соотношении компонентов, вес.%: оксид иттрия (Y2O3) - 27,2÷27,5, оксид гадолиния (Gd2O3) - 22,4÷22,6, оксид самария (Sm2O3) - 1,1÷1,2, оксид железа (Fe2O3) - остальное. Увеличение ширины линии спиновых волн с намагниченностью насыщения материала 1200 Гс, шириной кривой ферромагнитного резонанса - 140 Э, действительной составляющей диэлектрической проницаемости - 15,0, тангенсом угла диэлектрических потерь не более 2·10-4, температурой Кюри не менее 270°, на частоте 9,5 ГГц не менее 20 эрстед, является техническим результатом изобретения. 1 табл., 9 пр.

Изобретение относится к емкостям для транспортирования, хранения, разгрузки и осуществления технологических операций с порошкообразными сорбентами. Транспортно-технологический контейнер состоит из цистерны, выполненной из коррозионно-стойкого материала и закрепленной в жестком каркасе, и снабженной люками с крышками. Наличие внутри цистерны контуров подачи воздуха (16), горячей воды (17), а также системы гидросмыва (18) позволяет осуществить эффективную технологическую подготовку порошкообразного сорбента для его дальнейшего использования. Система пылеподавления (21), установленная непосредственно под разгрузочными люками, обеспечивает веерное распыление воды и образование противопыльной завесы. Выгрузка пульпы из контейнера производится за счет подачи воды в эжектор через патрубок. Изобретение расширяет функциональные возможности контейнера, снижает нагрузки на экологические системы и персонал, повышает качество подготовки порошкообразных сорбентов, снижает трудоемкость погрузочно-разгрузочных работ. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх