Патенты автора АБЭ Масаюки (JP)

Изобретение относится к электронной технике. Сущность: электронное устройство содержит термоэлектрический преобразователь (100) с гетероструктурными полупроводниковыми слоями (38), выполняющими термоэлектрическое преобразование, фотоэлектрический преобразователь (102), в котором, по меньшей мере, часть гетероструктурного полупроводникового слоя (38) выполняет фотоэлектрическое преобразование, транзистор (104) и/или диод, содержащий, по крайней мере, часть полупроводниковых слоев гетероструктуры, выполняющих функции рабочего слоя. Технический результат: возможность использования технологии монолитных интегральных схем для объединения термоэлектрического преобразователя с фотоэлектрическим преобразователем и транзистором и/или диодом, предотвращение помех между термоэлектрическими элементами p-типа и n-типа. 6 н. и 7 з.п. ф-лы, 11 ил.

 


Наверх