Патенты автора Товмасян Владимир Михайлович (RU)

Изобретение относится к способу лазерной резки хрупких прозрачных неметаллических материалов, например стекла, и может быть использовано в стекольной, авиационной, автомобильной и других отраслях промышленности. Сущность изобретения состоит в том, что разделяемый материал подвергается воздействию двух пучков слабопоглощающегося излучения лазера (прямого и отраженного от находящегося под разрезаемым материалом зеркала), которые направляются на обрабатываемый объект под углом 0,5-20°. В результате этого сечение реза методом лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ) представляет собой ломаную линию, вписанную в полуокружность. Таким образом, способ позволяет осуществлять лазерную резку стекла с получением выпуклой или вогнутой формы сечения торца, причем на выпуклом торце отсутствуют острые кромки. 1 з.п. ф-лы, 6 ил., 5 пр.
Изобретение относится к области технологии материалов для оптоэлектроники конструкционной оптики, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов ИК-техники. Способ включает подготовку шихты на основе селенида цинка, помещение ее в реактор, вакуумирование до давления 10-5-10-4 мм.рт.ст., нагрев зоны испарения реактора до температуры испарения, пропускание паров ZnSe через фильтр с последующим их осаждением на подложку, имеющую температуру ниже температуры испарения, и последующие охлаждение реактора с заготовкой до комнатной температуры, при этом в качестве шихты используют смесь селенида цинка с элементарным селеном при следующих масс %: селенид цинка - 90-99, элементарный селен - 1-10, зону испарения реактора нагревают до температуры испарения 1000-1200°С, охлаждение ведут со скоростью 25-30°С/ч. Изобретение позволяет получать материал с контролируемым стехиометрическим соотношением элементов и высоким оптическим качеством заготовок, обладающих низким поглощением в рабочем диапазоне. 1 табл.

 


Наверх