Патенты автора ЛИНДФОРС, Свен (FI)

Изобретение относится к устройству и способу химического осаждения материала последовательными самонасыщающимися поверхностными реакциями. Упомянутое устройство содержит источник исходного продукта, выполненный с возможностью осаждения материала на нагретую подложку в реакторе осаждения последовательными самонасыщающимися поверхностными реакциями, и пульсирующий клапан, внедренный в источник исходного продукта и выполненный с возможностью управления подачей пара исходного продукта из источника исходного продукта в содержащуюся в реакторе реакционную камеру, в которой размещена подложка. Устройство выполнено с возможностью пропускания нереакционного газа через пульсирующий клапан или через впускной клапан источника нереакционноспособного газа к картриджу источника исходного продукта с возможностью поднятия давления и облегчения последующего протекания смеси пара исходного продукта и нереакционноспособного газа к реакционной камере. Упомянутый способ осуществляют с использованием указанного устройства. Обеспечивается предотвращение конденсации пара исходного продукта в источнике исходного продукта. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 22 ил., 3 пр.,

Изобретение относится к источнику исходного продукта для реактора химического осаждения материала последовательными самонасыщающимися поверхностными реакциями и к картриджу исходного продукта для источника исходного продукта. Упомянутый источник содержит присоединяемый картридж исходного продукта, выполненный с возможностью отсоединения, первую соединительную часть, выполненную с возможностью присоединения картриджа исходного продукта к источнику исходного продукта и отсоединения от него, и вторую соединительную часть для присоединения источника исходного продукта к устройству реактора осаждения и отсоединения от него. Картридж исходного продукта для вышеуказанного источника исходного продукта, присоединяемый с возможностью отсоединения, содержит камеру исходного продукта, резервуар исходного продукта для вмещения исходного продукта, соединительную часть для загрузки и разгрузки резервуара исходного продукта и клапан для изоляции газового пространства указанной камеры от выходного трубопровода источника исходного продукта. Указанная камера имеет соединительную часть с горловиной, обеспечивающую разборку картриджа исходного продукта для очистки. Резервуар исходного продукта имеет фильтр, расположенный сверху указанного резервуара, предотвращающий выход из резервуара твердого исходного продукта или порошковых частиц. Обеспечивается предотвращение конденсации пара исходного продукта в упомянутом источнике, предотвращение формирования пленки на твердой поверхности исходного продукта. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 22 ил., 3 пр.

Изобретение относится к реакторам атомно-слоевого осаждения, в которых материал наносят на поверхности при последовательном использовании самоограниченных поверхностных реакций. Способ нанесения тонкопленочного покрытия на поверхность полотна атомно-слоевым осаждением (АСО) включает подачу покрываемого полотна в реакционное пространство реактора атомно-слоевого осаждения, формирование для покрываемого полотна в реакционном пространстве траектории с повторяющейся конфигурацией и обеспечение доступности покрываемого полотна в реакционном пространстве для подачи прекурсоров разделенными во времени импульсами для нанесения на указанное полотно материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций. Импульсы прекурсоров подают со стороны реакционного пространства в горизонтальном потоке газов прекурсоров. Аппарат для нанесения тонкопленочного покрытия на поверхность полотна АСО содержит входной шлюз, сконфигурированный с возможностью вводить движущееся покрываемое полотно в реакционное пространство реактора для нанесения материала, элементы для задания траектории, сконфигурированные с возможностью формировать для покрываемого полотна в реакционном пространстве траекторию с повторяющейся конфигурацией, и узел подачи паров прекурсоров, сконфигурированный для обеспечения доступности покрываемого полотна в реакционном пространстве для подачи прекурсоров разделенными во времени импульсами для нанесения на указанное полотно упомянутого материала. Узел подачи паров прекурсоров содержит по меньшей мере один распределитель потока, выполненный с возможностью обеспечения горизонтального потока газов прекурсоров. Распределитель потока расположен со стороны реакционного пространства. Производственная линия для нанесения тонкопленочного покрытия на поверхность полотна АСО содержит в качестве одного из модулей упомянутый аппарат с возможностью нанесения покрытия упомянутым способом. Обеспечивается возможность настройки реактора АСО на требуемую скорость производственной линии для обработки покрываемого полотна. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 6ил.

Изобретение относится к способу химического осаждения атомных слоев на подложку, устройству и линии для упомянутого осаждения. Способ химического осаждения атомных слоев на подложку включает использование реактора для осаждения атомных слоев, выполненного с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, использование сухого воздуха в реакторе в качестве продувочного газа и использование сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора. Устройство для упомянутого осаждения содержит реакционную камеру для осаждения атомных слоев, выполненную с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, линию подачи сухого воздуха из источника сухого воздуха для подачи сухого воздуха в качестве продувочного газа в реакционную камеру упомянутого устройства и средства для использования сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора. Производственная линия для химического осаждения атомных слоев на подложку, которая содержит в качестве средства для химического осаждения атомных слоев на подложку упомянутое устройство. Обеспечивается простая и экономичная конструкция устройства для упомянутого осаждения с использованием сухого воздуха в качестве продувочного и несущего инертного газа для увеличения давления во время осаждения. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к реакторам для осаждения материалов на поверхности при последовательном использовании самоограниченных поверхностных реакций. Способ атомно-слоевого осаждения (АСО) покрытия на поверхность частиц дисперсного материала включает установку картриджа для атомно-слоевого осаждения (картриджа АСО) в приемник реактора АСО посредством осуществления быстроразъемного соединения, причем картридж АСО сконфигурирован с возможностью выполнения функции реакционной камеры АСО, обработку поверхности дисперсного материала в картридже АСО путем обработки дисперсного материала в расположенных одно над другим отделениях картриджа, каждое из которых отделено от смежного отделения пластинчатым фильтром. Реактор АСО покрытия на поверхность частиц дисперсного материала содержит приемник, сконфигурированный для установки в реактор АСО, посредством осуществления быстроразъемного соединения картриджа АСО, сконфигурированного с возможностью выполнения функции реакционной камеры АСО, и линию или линии подачи, сконфигурированную или сконфигурированные с возможностью подачи в картридж АСО паров прекурсоров для осуществления обработки поверхности дисперсного материала в картридже АСО. Картридж АСО представляет собой съемный картридж, который посредством приемника с помощью быстроразъемного соединения прикреплен к корпусу реактора АСО, при этом обеспечивается возможность обработки поверхности дисперсного материала внутри картриджа. Указанный картридж содержит пластинчатые фильтры, установленные друг над другом, с образованием между ними отделений для нанесения покрытия на дисперсный материал. Аппарат для АСО покрытия на поверхность частиц дисперсного материала содержит упомянутые реактор АСО и картридж АСО. Обеспечивается тонкое покрытие на мелких частицах, позволяющее изменить их поверхностные свойства при сохранении их объемных свойств. 4 н. и 13 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к способу атомно-слоевого осаждения (АСО) на подложку и аппарату для АСО. Осуществляют подачу покрываемого полотна в реакционную камеру реактора АСО, обеспечивают импульсную подачу прекурсоров в реакционную камеру для нанесения материала на покрываемое полотно посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций и устанавливают первый и второй рулоны покрываемого полотна на крышку реакционной камеры реактора АСО. Упомянутый аппарат содержит приводной узел, сконфигурированный для осуществления перемещения покрываемого полотна в реакционной камере реактора атомно-слоевого осаждения, узел подачи паров прекурсоров, сконфигурированный для обеспечения импульсной подачи прекурсоров в реакционную камеру для нанесения материала на покрываемое полотно посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций, и крышку реакционной камеры реактора АСО, сконфигурированную для приема первого и второго рулонов покрываемого полотна. Обеспечивается упрощение конструкции реактора АСО по сравнению с известными реакторами АСО, использующими рулонную технологию, и оптимизация расходов прекурсоров, а также обеспечивается возможность получения требуемой толщины нанесенного материала, определяемой непосредственно скоростью полотна. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 26 ил.

Изобретение относится к способу атомно-слоевого осаждения пленки на подложку и к устройству для указанного осаждения. Обеспечивают модуль реакционной камеры реактора атомно-слоевого осаждения для обработки партии подложек, перемещаемых на тележке, методом атомно-слоевого осаждения, загрузку тележки, перемещающей партию подложек, перед обработкой в модуль реакционной камеры по пути, отличному от пути, по которому партию подложек разгружают после обработки, разделение партии подложек на подпартии подложек и одновременную обработку всех подпартий в модуле реакционной камеры. Для каждой подпартии предусмотрены собственное впускное отверстие для потока газа и собственное выпускное отверстие для потока газа. Указанное устройство содержит модуль реакционной камеры реактора атомно-слоевого осаждения, выполненный с возможностью обработки партии подложек методом атомно-слоевого осаждения. Упомянутый модуль реакционной камеры выполнен с возможностью разделения партии подложек на подпартии подложек. Для каждой подпартии предусмотрены собственное впускное отверстие для потока газа и собственное выпускное отверстие для потока газа и устройство для загрузки и разгрузки, обеспечивающее загрузку партии подложек перед обработкой в модуль реакционной камеры по пути, отличному от пути, по которому партию подложек разгружают после обработки. Обеспечивается повышенная производительность атомно-слоевого осаждения. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к реакторам осаждения с плазменным источником. Установка для плазменного атомно-слоевого осаждения содержит газовую линию от источника химически неактивного газа к расширительному устройству для подачи радикалов, открывающемуся в реакционную камеру, удаленный плазменный источник, систему управления потоком газа из источника химически неактивного газа через удаленный плазменный источник к расширительному устройству для подачи радикалов в течение всего периода плазменного атомно-слоевого осаждения, реактор плазменного атомно-слоевого осаждения, выполненный с возможностью осаждения материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций. Обеспечивается возможность атомно-слоевого осаждения на термочувствительные подложки при очень низких температурах. 6 з.п. ф-лы, 8 ил., 1 пр.

Изобретение относится к реактору и способу осаждения слоев металла на подложку. Подающее устройство реактора ограничивает расширительное пространство, предназначенное для проведения реагентов в виде нисходящего потока от плазменного источника (110) по направлению к реакционной камере. Расширительное пространство расширяют по направлению к реакционной камере (335). Подъемный механизм предназначен для загрузки по меньшей мере одной подложки (360) в реакционную камеру с верхней стороны реакционной камеры (335). Реактор осаждения имеет конфигурацию, обеспечивающую осаждение материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 17 ил.

Изобретение относится к устройству для осаждения атомного слоя и к способу загрузки этого устройства. Устройство содержит реакторы ALD, каждый из которых выполнен с возможностью приема партии подложек для ALD-обработки и включает реакционную камеру с верхней загрузкой, систему крышек, подъемное устройство для подъема системы крышек для загрузки реакционной камеры, и загрузочный робот. Загрузочный робот включает захватную часть и устройство перемещения, при этом загрузочный робот выполнен с возможностью осуществления нескольких операций загрузки для загрузки каждого из реакторов ALD. Каждая операция загрузки включает подхват захватной частью в зоне или на полке складирования держателя подложек c партией подложек, перемещение устройством перемещения держателя подложек с партией подложек в реакционную камеру соответствующего реактора ALD и опускание упомянутого держателя подложек вертикально сверху в соответствующую реакционную камеру. Повышается автоматизация устройства и его производительность. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил.

 


Наверх