Патенты автора СЮЙ Сянян (CN)
СЕНСОРНАЯ ПАНЕЛЬ С ВЗАИМНОЙ ЕМКОСТЬЮ И "РЕШЕНИЕМ НА ОДНОМ СТЕКЛЕ" И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТАКОЙ ПАНЕЛИ // 2663326
Изобретение относится к сенсорным панелям. Технический результат заключается в повышении чувствительности сенсорного управления. Первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие сформированы на изолирующем слое сенсорной панели. Первая подсистема электродов сенсорной панели электрически соединена с четвертой подсистемой электродов сенсорной панели посредством первого сквозного отверстия, а третья подсистема электродов сенсорной панели электрически соединена со второй подсистемой электродов сенсорной панели посредством второго сквозного отверстия при проведении испытания сенсорного управления. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к технической области жидкокристаллических дисплеев и, в частности, к способу компенсации импедансов линий данных жидкокристаллического дисплея. Техническим результатом является обеспечение эффекта равномерного удовлетворительного отображения с предотвращением дефектов отображения. В способе компенсации импедансов линий данных жидкокристаллического дисплея память и схему вычитания располагают на печатной плате дисплея. Измеряют значение импеданса линии данных для компенсации и вводят полученное значение импеданса в память. Вычисляют значение компенсации импеданса, требующееся для соответствующей линии данных. Считывают значение компенсации импеданса и выполняют компенсацию импеданса соответствующей линии, чтобы получить комплексный импеданс нагрузки для соответствующей линии. При этом, учитывая число 2n для линий данных, где линии последовательно пронумерованы, значения компенсации импеданса, соответствующие (n)-й и (n+1)-й линиям, равны и являются максимальными среди полученных значений, и/или значения компенсации импеданса, соответствующие 1-й и (2n)-й линиям, равны и являются минимальными среди полученных значений. 16 з.п. ф-лы, 12 ил.
СХЕМА ВОЗБУЖДЕНИЯ И СПОСОБ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПАНЕЛИ И ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИСПЛЕЯ // 2635068
Изобретение относится к схеме возбуждения жидкокристаллической панели. Технический результат заключается в снижении расхода энергии панели ЖК-дисплея и уменьшении числа применяемых ИС возбуждения истока. Схема возбуждения включает m×n ТПТ пикселей, драйвер затвора, драйвер истока, m линий сканирования и 2n линий данных. Каждая строка ТПТ пикселей соединена с линией сканирования, и m линий сканирования соединены с драйвером затвора, который подает сигналы сканирования на m строк ТПТ пикселей по m линиям сканирования. Первая линия данных и вторая линия данных соединены с каждым столбцом ТПТ пикселей. Нечетные строки ТПТ пикселей соединены с первой линией данных, и четные строки ТПТ пикселей соединены с второй линией данных. Первые и вторые линии данных соединены с одной ИС возбуждения истока, расположенной в драйвере истока, через первое переключающее устройство и второе переключающее устройство соответственно. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 4 ил.
Настоящее изобретение относится к тонкопленочному транзистору из низкотемпературного поликристаллического кремния, который обладает определенными электрическими характеристиками и надежностью, и к способу изготовления такого тонкопленочного транзистора. Тонкопленочный транзистор из низкотемпературного поликристаллического кремния включает по меньшей мере подзатворный слой, которым является композитный изоляционный слой, включающий по меньшей мере три диэлектрических слоя, при этом плотность каждого диэлектрического слоя последовательно увеличивается в порядке их формирования в данном способе изготовления. Поскольку согласно настоящему изобретению учитывается отношение между плотностью каждого слоя композитного изоляционного слоя и плотностью других его слоев, каждый слой в композитном изоляционном слое тонкопленочного транзистора из низкотемпературного поликристаллического кремния, изготовленный способом согласно настоящему изобретению, имеет улучшенные характеристики контакта поверхности и электропроводности тонкой пленки. Также учитывается толщина пленки каждого слоя в композитном изоляционном слое, так что паразитная емкость может быть эффективно уменьшена, и, таким образом, скорость срабатывания транзистора может быть повышена. А именно путем улучшения качества формирования пленки подзатворного слоя могут быть улучшены электрическая характеристика и надежность тонкопленочного транзистора из низкотемпературного поликристаллического кремния. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение предлагает микросхему GOA (gate driver on array) для совместного возбуждения электрода затвора и общего электрода дисплея с матрицей. Технический результат заключается в снижении проходного напряжения для повышения качества шкалы серого на дисплее. Микросхема включает пусковую схему, первую избирательную входную схему, вторую избирательную входную схему, которая используется для пропускания соответственно входного сигнала высокого уровня для общего электрода и входного сигнала высокого уровня для электрода затвора на выход синхронизации пусковой схемы в разные временные последовательности, чтобы поднять напряжение на выходном выводе пусковой схемы, третью избирательную входную схему, которая используется для выбора сигналов уровня или сигналов фронта на линии затворов n+1 и линии затворов n+4 в качестве сигнала на перезапуск пусковой схемы, четвертую избирательную входную схему, которая используется для того, чтобы понизить напряжение на ней, избирательную выходную схему, вход которой соединен с выходным выводом пусковой схемы, для избирательного вывода сигнала возбуждения электрода затвора или сигнала возбуждения общего электрода. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к области технологий связи. Техническим результатом является улучшение производительности всей сети. Способ содержит: получение информации о линии связи, информации о сервере и пропускной способности, информации о требованиях пользователя в подсети, где информация о сервере и пропускной способности содержит пропускную способность виртуального сервера каждого внешнего порта подсети, и пропускная способность виртуального сервера является пропускной способностью сервера вне подсети, где пропускная способность сервера вне подсети является требуемой для подсети через внешний порт; получение параметра оптимальной маршрутизации и параметра выбора сервера подсети в соответствии с информацией о линии связи, информацией о сервере и пропускной способности и информацией о требованиях пользователя; получение оптимизированной входной пропускной способности каждого внешнего порта подсети в соответствии с параметром оптимальной маршрутизации и параметром выбора сервера; сравнение оптимизированной входной пропускной способности и пропускной способности виртуального сервера каждого внешнего порта, и если результаты сравнения между оптимизированной входной пропускной способностью и пропускной способностью виртуального сервера всех внешних портов меньше установленного значения ошибки, применение параметра оптимальной маршрутизации и параметра выбора сервера в подсети. 4 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.
