Патенты автора Бугаев Александр Сергеевич (RU)
Способ изготовления фотопроводящих антенн // 2731166
Использование: для генерации или детектирования электромагнитных волн терагерцевого диапазона. Суть изобретени заключается в том, что изготовление фотопроводящей антенны для генерации или детектирования электромагнитных волн терагерцевого диапазона заключается в нанесении диэлектрического слоя на поверхность фотопроводящего слоя, нанесении фоторезиста и последующем формировании маски окон в диэлектрике, жидкостном травлении окон по маске, нанесении фоторезиста и формировании маски для металлизации антенны, термическом нанесении металлизации фотопроводящей антенны с последующим удалением остатков металла методом "взрывом", при этом металлизация фотопроводящей антенны наносится на диэлектрический слой, которым покрыта поверхность фотопроводящего слоя, а электрический контакт металлизации с полупроводником осуществляется через предварительно вскрытые окна в диэлектрическом слое. Технический результат: обеспечение возможности увеличения соотношения сигнал/шум и эффективности оптико-терагерцевого преобразования антенны. 2 ил.
Использование: для создания РНЕМТ транзисторов. Сущность изобретения заключается в том, что наноразмерная структура с нанонитями из атомов олова, встроенными в кристалл GaAs включает монокристаллическую полуизолирующую вицинальную подложку GaAs (100) с углом разориентации 0.3°÷0.4° в направлении типа <011>, буферный нелегированный слой GaAs, дельта-легированный оловом слой и контактный легированный кремнием слой GaAs, дополнительно добавлен канальный слой InGaAs, спейсерный слой AlGaAs и барьерный слой AlGaAs, а двухмерный электронный газ, находящийся в канальном слое InGaAs, модулирован в виде квазиодномерных каналов. Технический результат: обеспечение возможности увеличения быстродействия СВЧ приборов на основе такой структуры.
Изобретение относится к наноразмерным полупроводниковым структурам, содержащим систему квазиодномерных проводящих каналов, используемых для изготовления приборов наноэлектроники и нанофотоники. Техническим результатом является увеличение концентрации электронов в активной области наноструктуры. Наноразмерная структура, получаемая в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии, содержит монокристаллическую полуизолирующую вицинальную подложку GaAs (100) с углом разориентации 0.3°÷0.4° в направлении типа <011>, буферный нелегированный слой GaAs, дельта-легированный оловом слой, закрывающий нелегированный слой GaAs и контактный легированный кремнием слой GaAs. В процессе эпитаксии на поверхности буферного слоя формируется система атомно-гладких террас, разделенных ступенями моноатомной толщины. При легировании атомы олова в результате поверхностной диффузии собираются вблизи ступеней, формируя проводящие нанонити атомов олова, расположенные в одной плоскости параллельно друг другу. Использование олова в GaAs по сравнению с кремнием приводит к повышенным концентрациям электронов в дельта-слое, так как олово обладает большим пределом растворимости и не проявляет амфотерных свойств. 5 ил.
