Патенты автора Рамазанов Гусейн Муфтялиевич (RU)
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой подложке при температуре до 260°С при использовании прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3) как источника атомов алюминия и гидразина (N2H4) или гидразин хлорида (N2H5Cl) в качестве азотсодержащего прекурсора с последующим отжигом полученной структуры в атмосфере молекулярного азота при температуре до 1400°С. Изобретение позволяет обеспечить минимально возможную толщину наносимого слоя с высокими качественными характеристиками, начиная с границы роста пленка-подложка, и постоянную толщину пленки по всей поверхности подложки. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет упростить технологию получения применением одной поликристаллической мишени, улучшить качество пленок за счет высокой адгезии. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке включает получение пленки на поверхности подложки ионно-плазменным магнетронным распылением одной поликристаллической мишени карбида кремния при нагреве подложки до температуры 950-1400°C в атмосфере Ar. 3 ил.
