Патенты автора ВЕТРОВ Василий Николаевич (RU)

Плоская линза из лейкосапфира с фокусом необыкновенных лучей изготовлена из заготовки, полученной путем высокотемпературной пластической деформации пластинки из Z-среза кристалла Al2O3, ось симметрии которой совпадает с направлением оси симметрии пуансона, имеющего рабочую поверхность в сечении, описываемую полиномом четвертой степени y=ΣKаkxk, где y, х - координаты сечения с центром на оси симметрии, аk - коэффициенты, характеризующие фокусное расстояние и толщину линзы, при k=1…4. Входящая и выходящие поверхности плоской линзы являются плоскостями, перпендикулярными оси симметрии заготовки и линзы. Выходящая поверхность плоской линзы и заготовка имеют общую точку на оси симметрии линзы. Входящая поверхность определяется требуемой толщиной плоской линзы. Технический результат - создание плоской линзы из лейкосапфира с фокусом необыкновенных лучей для параллельного пучка света, направленного перпендикулярно входящей поверхности детали, прозрачной в области спектра 25000-2000 см-1. 1 ил.
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах и лидарах, работающих в области 1,2-1,55 мкм. Кристаллы выращивают методом Чохральского из расплава исходной шихты, в котором в качестве шихты используют полученный методом твердофазного синтеза гадолиний-скандий-алюминиевый гранат состава Gd2,88Sc1,89Al3V0,03O12, причем ванадий вводят в виде оксида V2O5, а процесс выращивания кристалла ведут в среде аргона при давлении в камере 1,2-1,8 атм, затем кристалл отжигают в вакууме 3-5·10-4 мм рт. ст. при температуре 1600°C в течение 3-6 часов. Изобретение позволяет выращивать совершенные кристаллы гадолиний-скандий-алюминиевого граната, легированные катионами ванадия, с коэффициентом поглощения 1,2-2,5 см-1 на длинах волн 1,20-1,55 мкм, обеспечивающие на пассивных лазерных затворах необходимый режим модуляции добротности в импульсном режиме работы. 2 пр.

Изобретение может быть использовано в оптических системах оптических, оптоэлектронных и лазерных приборов, работающих в ультрафиолетовой, видимой и ИК областях спектров. Плоско-вогнутая линза изготовлена из пластически деформированной заготовки, в которой входящая плоская поверхность перпендикулярна оси симметрии заготовки и образована со стороны вершины заготовки на расстоянии х0<Н, где Н - толщина заготовки. Выходящая поверхность линзы имеет профиль, обеспечивающий изменение толщины hy=h0×n0/ny, где h0 - толщина линзы в центре, n0 - показатель преломления обыкновенного луча, а ny - показатель преломления необыкновенного луча на расстоянии Y от центра линзы. Заготовку изготавливают путем пластической деформации плоскопараллельной пластинки из Z-среза кристалла методом центрально-кольцевого изгиба. Поверхность линзы формируют удалением с заготовки избыточного слоя материала. Технический результат - создание линзы из лейкосапфира, формирующей плоский волновой фронт необыкновенных лучей и прозрачной в области 25000-2000 см-1 для параллельного пучка света, перпендикулярного входящей поверхности. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии выращивания труб из монокристаллов тугоплавких оксидов металлов и их твердых растворов: сапфира, алюмо-магниевой шпинели, алюмо-иттриевого граната, и может быть использовано в различных областях науки и техники, где требуются высокопрочные, инертные и термостойкие трубы. Устройство включает тигель, состоящий из соосно расположенных, выполненных из молибдена наружной трубы 1 и, по меньшей мере, одной внутренней трубы 2, молибденовой крышки 7, установленной сверху, и цанги 3, расположенной внизу тигля, на которую установлены наружная 1 и внутренняя 2 трубы и цилиндрическая монокристаллическая затравка 4, имеющая, по меньшей мере, один канал 5 для установки в ней внутренней трубы 2. Исходную шихту 6 размещают в данном устройстве, где ее засыпают между наружной и внутренней трубами тигля и плавят в установке вертикальной направленной кристаллизации на уровне изотермы кристаллизации при движении тигля вверх, выдерживают расплав в верхнем положении не менее 2 часов и осуществляют кристаллизацию на уровне изотермы со скоростью не более 5 мм/час. Изобретение позволяет получать монокристаллические трубы заданного размера и формы высокого качества, не имеющие пузырей и блоков. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к технологии получения поликристаллических оптических материалов и может быть использовано при получении оптической керамики на основе оксидов, а также материалов на основе алюмомагниевой шпинели. Исходное сырье в виде брикета из порошка алюмомагниевой шпинели стехиометрического состава, легированного 1 вес.% фтористого лития, спекают в вакууме при температурах 1100-1500°C. Загружают в форму полученный брикет с диаметром, равным диаметру формы, и производят его уплотнение при температуре 1550-1600°C в течение 5-30 минут при давлении 350-500 кг/см2, выдерживают 30-55 минут и охлаждают. Техническим результатом изобретения является получение поликристаллического оптического материала из алюмомагниевой шпинели, прозрачного в области 25000-2000 см-1, особенно в ИК области спектра. 1 пр., 1 табл.

 


Наверх