Патенты автора Игнатов Павел Викторович (RU)
Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов и сверхбольших интегральных схем на основе кремниевой подложки с использованием скрытого диэлектрика (КНИ), предназначенных для использования в средах с максимальной температурой до 250°С. Сущность изобретения: способ изготовления высокотемпературных КМОП КНИ интегральных схем, включающий операции формирования областей мелкой щелевой изоляции STI, ионной имплантации в области карманов n- и р-канальных МОП-транзисторов, формирования слоя подзатворного диэлектрика, осаждения слоя поликристаллического кремния и формирования затворов МОП-транзисторов, ионной имплантации в области стоков и истоков МОП-транзисторов, формирования контактных окон к активным областям и формирования системы металлизации, отличающийся тем, что при осуществлении операции ионной имплантации в области стоков и истоков МОП-транзисторов n-типа доза ионов мышьяка составляет от 2×1015 до 3×1015 см-2, энергия пучка - от 63 до 77 кэВ, а для областей стоков и истоков МОП-транзисторов р-типа доза ионов бора составляет от 2,8×1015 до 4,2×1015 см-2, энергия пучка - от 6 до 8 кэВ. Изобретение обеспечивает повышение устойчивости интегральных схем к воздействию высоких температур. 3 з.п. ф-лы, 19 ил., 2 табл.
Изобретение относится к области технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем. В способе формирования системы многоуровневой металлизации для высокотемпературных интегральных микросхем, включающем операции нанесения диэлектрических и металлических слоев, фотолитографию и травление канавок в этих слоях, нанесение барьерного и зародышевого слоев, нанесение слоя металла и его ХМП, процесс формирования одного уровня металлической разводки включает следующую последовательность основных операций: на пластину кремния со сформированным транзисторным циклом наносится слой вольфрама для формирования горизонтальных проводников, проводится его ХМП и сквозное травления областей под заполнение проводящим барьерным слоем нитрида титана и диэлектриком, ХМП диэлектрика, нанесение барьерного слоя нитрида титана и слоя вольфрама для формирования вертикальных проводников, ХМП слоя вольфрама, сквозное травление областей под заполнение диэлектрическим барьерным слоем нитрида кремния и диэлектриком, ХМП диэлектрика с последующим покрытием полученной структуры проводящим барьерным слоем нитрида титана. Техническим результатом является повышение устойчивости микросхем к воздействию высоких температур. 6 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС) в части формирования многоуровневых металлических соединений. Способ формирования многоуровневых медных межсоединений СБИС по процессу двойного Дамасцена через двухслойную жесткую маску включает нанесение слоя изолирующего диэлектрика на пластину, в теле которого будут формироваться проводники многоуровневой металлизации интегральной схемы, нанесение поверх изолирующего диэлектрика нижнего слоя двухслойной жесткой маски двуокиси кремния и верхнего слоя двухслойной жесткой маски, формирование на верхнем слое двухслойной жесткой маски топологической маски из резиста, травление верхнего слоя двухслойной жесткой маски по топологической маске из резиста, удаление остаточного резиста с поверхности топологического рисунка, сформированного в верхнем слое двухслойной жесткой маски, травление нижнего слоя двухслойной жесткой маски двуокиси кремния по топологическому рисунку верхнего слоя двухслойной жесткой маски, вытравливание траншей и переходных контактных окон в слое изолирующего диэлектрика по топологическому рисунку в двухслойной жесткой маске, заполнение сформированных траншей и переходных контактных окон слоем металлизации и удаление избыточного объема нанесенного металла с поверхности пластин, при этом в качестве материала верхнего слоя жесткой маски используют слой вольфрама. Изобретение обеспечивает повышение надежности и увеличение процента выхода годных изделий. 1 з.п.ф-лы, 10 ил.
