Патенты автора Янович Сергей Игоревич (RU)
ИНТЕРПОЗЕР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2584575
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных микросхем в части формирования интерпозера для объемной сборки нескольких чипов в единую микроэлектронную систему и процесса его изготовления. Изобретение направлено на снижение воздействия градиентов температур и связанных с ними механических напряжений, возникающих в теле интерпозера при работе интегральной микроэлектронной системы. Для этого в теле интерпозера вокруг сквозных отверстий (TSV), заполненных проводящим материалом для создания электрического соединения металлизированной электрической разводки рабочей стороны с металлизированной разводкой обратной стороны интерпозера, формируются отверстия, один из топологических размеров которых существенно меньше диаметра или минимального топологического размера TSV. Сформированные таким образом отверстия для снижения воздействия градиентов температур заполняются материалом с теплопроводностью, большей чем у кремния, для компенсации механических напряжений не заполняются либо заполняются частично с образованием пустот внутри отверстия. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 11 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС) в части формирования многоуровневых металлических соединений. Способ формирования многоуровневых медных межсоединений СБИС по процессу двойного Дамасцена через двухслойную жесткую маску включает нанесение слоя изолирующего диэлектрика на пластину, в теле которого будут формироваться проводники многоуровневой металлизации интегральной схемы, нанесение поверх изолирующего диэлектрика нижнего слоя двухслойной жесткой маски двуокиси кремния и верхнего слоя двухслойной жесткой маски, формирование на верхнем слое двухслойной жесткой маски топологической маски из резиста, травление верхнего слоя двухслойной жесткой маски по топологической маске из резиста, удаление остаточного резиста с поверхности топологического рисунка, сформированного в верхнем слое двухслойной жесткой маски, травление нижнего слоя двухслойной жесткой маски двуокиси кремния по топологическому рисунку верхнего слоя двухслойной жесткой маски, вытравливание траншей и переходных контактных окон в слое изолирующего диэлектрика по топологическому рисунку в двухслойной жесткой маске, заполнение сформированных траншей и переходных контактных окон слоем металлизации и удаление избыточного объема нанесенного металла с поверхности пластин, при этом в качестве материала верхнего слоя жесткой маски используют слой вольфрама. Изобретение обеспечивает повышение надежности и увеличение процента выхода годных изделий. 1 з.п.ф-лы, 10 ил.
