Патенты автора Тимошенков Валерий Петрович (RU)

Изобретение относится к приборам твердотельной и вакуумной электроники, в частности к автоэмиссионным элементам на основе системы Si-SiC-графен, используемых в качестве катодов: к диодам, к триодам и к устройствам на их основе. Технический результат - повышение тока автоэмиссии и временной стабильности этой величины, уменьшение рабочих напряжений в приборах вакуумной микроэлектроники на основе углеродосодержащих материалов и, как следствие, продление их срока службы. Матричный автоэмиссионный элемент с катодами на основе системы Si-SiC-графен включает монокристаллическую кремниевую подложку, на лицевой поверхности которой сформирован катодный узел в виде многоострийных эмиссионных структур, имеющих форму конуса, на кончике эмиссионной структуры сформированы пленки нижележащего карбида кремния и графена, контактный слой, сформированный на обратной поверхности полупроводниковой подложки, состоящий из адгезионного слоя, расположенного на обратной поверхности полупроводниковой подложки, и токоведущего слоя, расположенного на поверхности адгезионного слоя. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния. Изготовление матрицы многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют на пластинах монокристаллического кремния дырочного типа проводимости в плазме микроволнового газового разряда осаждением из паров углеродосодержащих веществ, например этанола, углеродных покрытий на кремниевые столбчатые наноструктуры высотой до нескольких десятков нанометров. Для повышения плотностей автоэмиссионных токов используют эмиссионные слои с низкой поперечной электропроводностью. Технический результат - повышение стабильности и эффективности автоэмиссии. 2 ил.

Изобретение относится к приборам вакуумной и твердотельной электроники, в частности к автоэмиссионным элементам на основе углеродных нанотрубок (УНТ), используемых в качестве катодов: к диодам, к триодам и к устройствам на их основе. Технический результат - повышение тока автоэмиссии и временной стабильности этой величины, уменьшение рабочих напряжений в приборах вакуумной микроэлектроники на основе углеродных нанотрубок и продление их срока службы. Автоэмиссионный элемент с катодами на основе углеродных нанотрубок включает полупроводниковую подложку, на поверхности которой сформирован изолирующий слой, катодный узел, расположенный над изолирующим слоем, состоящий из токоведущего и контактного слоев и углеродных нанотрубок (УНТ), расположенных на поверхности контактного слоя, опорно-фокусирующую систему, состоящую из первого диэлектрического, затворного электропроводящего и второго диэлектрического слоев, расположенную на верхней поверхности катодного узла и содержащую сквозную полость, анодный токоведущий слой, расположенный на внешней поверхности второго диэлектрического слоя опорно-фокусирующей системы, в котором сформированы сквозные технологические отверстия. Углеродные нанотрубки расположены параллельно поверхности полупроводниковой подложки, на поверхность углеродных нанотрубок нанесен слой оксида гафния, снижающий работу выхода электронов с поверхности УНТ и защищающий поверхность эмитирующих УНТ от воздействия внешних факторов, снижения величины контактного сопротивления нанотрубка-подложка при отжиге сформированной структуры автоэмиссионного элемента. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Использование: для изготовления полевых эмиссионных элементов на основе углеродных нанотрубок. Сущность изобретения заключается в том, что прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, содержит полупроводниковую подложку, на поверхности которой сформирован изолирующий слой, катодный узел, расположенный над изолирующим слоем, состоит из токоведущего слоя катодного узла, каталитического слоя и массива углеродных нанотрубок (УНТ), расположенных на поверхности каталитического слоя перпендикулярно его поверхности, опорно-фокусирующую система, состоящая из первого диэлектрического, затворного электропроводящего и второго диэлектрического слоев, содержит сквозную полость, анодный токоведущий слой, расположенный на внешней поверхности второго диэлектрического слоя опорно-фокусирующей системы, в котором сформированы сквозные технологические отверстия, катодный узел дополнительно содержит слой проводящего материала, который расположен в сквозной полости на боковой поверхности первого диэлектрического слоя опорно-фокусирующей системы, высота углеродных нанотрубок одинакова по всей площади массива, на поверхности массива углеродных нанотрубок расположен слой интеркалированного материала, а токоведущий слой катодного узла и слой проводящего материала катодного узла обладают адгезионными свойствами. Технический результат: обеспечение возможности повышения тока эмиссии и временной стабильности этой величины. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и электроники, в частности к аналоговым микросхемам различного назначения, и может быть использовано в качестве функционального узла в операционных усилителях, компараторах и других блоках. Технический результат заключается в повышении выходного сопротивления токового зеркала и соответствующей точности передачи по току. Для этого предложено токовое зеркало, которое содержит схемотехнически идентичные входной и выходной каскады, каждый из которых включает два МОП транзистора, соединенные последовательно между первой шиной питания и входом или выходом, соответственно, а также цепь активного регулирования, включающую резистор и дополнительный МОП транзистор соединенные последовательно между точкой последовательного соединения входных (выходных) транзисторов и второй шиной питания. Затворы дополнительных транзисторов подключены к входу и выходу токового зеркала. 3 ил.

Изобретение относится к области формирования выходных сигналов высокочастотных КМОП микросхем и защиты выходов от электростатических разрядов. Техническим результатом является повышение быстродействия формирователя импульсов. Формирователь содержит выходной каскад на основе комплементарных выходных транзисторов и логических элементов 3ИЛИ/НЕ, 3И/НЕ. Устройство защиты содержит два комплементарных ключевых транзистора, два комплементарных управляющих транзистора и два нагрузочных резистора. В рабочем режиме ключевые транзисторы закрыты, а выходные транзисторы включаются поочередно в соответствии с уровнем входного сигнала. В режиме возникновения электростатического разряда оба ключевых транзистора и оба выходных транзистора открыты. Это позволяет уменьшить размеры ключевых транзисторов и паразитную электрическую емкость выходной шины. 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении реактивного импеданса устройства защиты на высоких частотах. Устройство защиты выводов микросхемы от электростатических разрядов, включающее ключевые n-канальный и р-канальный транзисторы, управляющие n-канальный и р-канальный транзисторы, два нагрузочных резистора, входную шину, шину питания и шину земли, причем в него введены первый и второй дополнительные индукторы, причем сток р-канального ключевого транзистора и исток р-канального управляющего транзистора соединены с первым выводом первого индуктора, второй вывод которого соединен с входной шиной, а также сток n-канального ключевого транзистора и исток n-канального управляющего транзистора соединены с первым выводом второго индуктора, второй вывод которого также соединен с входной шиной. 3 ил.

 


Наверх