Патенты автора Николаев Назар Александрович (RU)
Изобретение относится к области спектроскопических измерений и касается импульсного терагерцового спектрометра с полупроводниковым генератором на эффекте модуляции приповерхностного поля. Спектрометр содержит импульсный лазер, светоделительный элемент, блок генерации, блок оптической линии задержки, систему транспорта терагерцового излучения, блок регистрации. Импульсный лазер оптически связан со светоделительным элементом, разделяющим пучок лазерного излучения на два пучка с подачей одного пучка в блок генерации, а второго пучка в блок оптической линии задержки. Блок генерации оптически связан с системой транспорта терагерцового излучения. Блок регистрации оптически связан с управляемым блоком оптической линии задержки и системой транспорта терагерцового излучения. Блок генерации выполнен в виде структуры металл-диэлектрик-полупроводник, обеспечивающей возможность модулирования напряженности приповерхностного поля. Кроме того, блок регистрации выполнен с возможностью регистрации напряженности терагерцового электромагнитного поля. Технический результат заключается в увеличении соотношения сигнал/шум, обеспечении возможности генерации терагерцового излучения в широком диапазоне длин волн лазерного излучения и расширении спектрального диапазона терагерцового излучения в высокочастотную область спектра. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к генераторам импульсного широкополосного электромагнитного излучения терагерцового диапазона частот. Многоэлементный генератор терагерцового излучения содержит исследуемый образец, фемтосекундный лазер, многоэлементный эмиттер, в котором элементарный эмиттер представляет собой слой кристаллического полупроводника с напыленной металлической маской, формирующей резкий градиент освещенности слоя кристаллического полупроводника лазерным излучением. На границе освещенной и неосвещенной частей слоя полупроводника сформирован резкий градиент концентрации фотовозбужденных носителей зарядов параллельно его поверхности. Устройство дополнительно содержит эллиптическое зеркало, выполненное формирующим фокусированный пучок терагерцового излучения и содержащее отверстие для пропускания лазерного излучения, а многоэлементный эмиттер выполнен содержащим растр цилиндрических микролинз, распределяющий лазерное излучение между элементарными эмиттерами и формирующий на слое полупроводника освещение только областей, участвующих в генерации терагерцового излучения. При этом металлическая маска выполнена в виде плоских металлических полос. Технический результат заключается в повышении мощности терагерцового излучения, а также в обеспечении возможности использования исследуемых образцов небольшого размера. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
