Патенты автора Шангереев Юсуп Пахрутдинович (RU)
МЕТОД ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ // 2565380
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к обработке поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин от различных видов загрязнений для формирования активных областей. Изобретение обеспечивает полное удаление органических и механических загрязнений, а также примесей с поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин и сокращение длительности процесса. В способе обработки поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин пластины подвергают двухстадийной обработке в двух ваннах с различными растворами: в первой ванне содержится раствор смеси «КАРО», состоящий из серной кислоты и перекиси водорода (H2SO4:Н2О2) в соотношении 7,2:1,2 при температуре Т=105±5°C; во второй ванне содержится перекисно-аммиачный раствор (ПАР), состоящий из водного аммиака, перекиси водорода и деионизованной воды (NH4OH:Н2O2:H2O) в соотношении 1:4:22 при температуре Т=65°C, длительность обработки в каждой из ванн составляет 5 мин. Сущность способа заключается в том, что на поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин происходит полное удаление органических, ионных, химических, газообразных и механических загрязнений, т.е. в первой ванне происходит удаление грубых жировых загрязнений, а во второй ванне снимаются оставшиеся нерастворенные загрязнения.
Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки включает обработку поверхности кремниевых подложек, поверхность подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа: 1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 28±2 мкм, скорость удаления 0,8±0,1 мкм/мин; 2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 6±1 мкм, скорость удаления 1,0±0,1 мкм/мин, где глубина нарушенного слоя составляет 0,6 мкм. Технический результат: обеспечение чистой поверхности кремниевых подложек без сколов и царапин и повреждений обрабатываемой поверхности.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n- переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты поверхности p-n переходов на основе пятиокиси ванадия (V2O5) в виде порошкообразной пятиокиси ванадия (V2O5) создание защитной диэлектрической пленки на поверхности кремниевой подложки проводится в печи при температуре 1060°С при подаче водяных паров в кварцевую трубу, содержание кислорода с парциальным давлением 22 мм рт. ст. После окончания процесса кварцевую лодочку с порошком ванадия медленно выдвигают из печи. Контроль толщины защитной диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки δ=1,0±0,1 мкм.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия защита поверхности p-n-переходов осуществляется на основе пленки окиси бериллия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1000°C, температура кристалла 600°С. Окись бериллия в виде порошка, а в качестве несущего агента используется галоген HBr. Устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом равно 12 см. Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной ρ-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по длине лодочек. В способе диффузии бора процесс проводят с применением газообразного источника - диборана (В2Н6) при температуре 960°С и времени 35 минут на этапе загонки, при следующем соотношении компонентов: азот N2=240 л/ч, кислород O2=120 л/ч и водород Н2=7,5 л/ч, а на этапе разгонки при температуре 1100°С и времени разгонки - 2 часа. Поверхностное сопротивление равно Rs=155±5 Ом/см.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛА ИЗ ПЯТИОКИСИ ФОСФОРА // 2524149
Использование: для получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоро-силикатных стекол для формирования p-n переходов. Сущность изобретения заключается в том, что кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу, находящуюся внутри нагретой однозонной печи СДОМ-3/100. Через трубу пропускается поток газа носителя - водород (H2), а фосфорный ангидрид (P2O5) помещают в зону источника и нагревают до температуры 300°C, при которой происходит испарение источника. Процесс проводят при следующем расходе газов: О2=40 л/ч, азот N2=500 л/ч. Технический результат: обеспечение возможности осуществления процесса диффузии фосфора с применением твердого источника диффузанта - фосфорный ангидрид (P2O5) при температуре 1050°C и времени - 40 минут, и получить RS=140±10 Ом/см, при котором обеспечивается уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и снижение длительности и температуры процесса.
ДИФФУЗИЯ ФОСФОРА ИЗ НИТРИДА ФОСФОРА (P2N5) // 2524140
Изобретение относится к технологии получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоросиликатного стекла для формирования p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерного значения поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и уменьшение длительности процесса. Способ диффузии фосфора включает образование фосфоросиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины. В качестве источника диффузанта используют нитрид фосфора. Процесс проводят при расходе газов: O2=70 л/ч, азот N2=700 л/ч, при температуре 1020°C и времени проведения процесса 30 минут. Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление равно RS=155±5 Ом/см.
