Патенты автора КАМПЕЗАТО Роберта (IT)
Предложен монолитный фотовольтаический элемент. Упомянутый элемент содержит по меньшей мере один переход. Каждый из упомянутого по меньшей мере одного перехода содержит базу, образованную легированным полупроводниковым материалом первого типа проводимости, и эмиттер, образованный легированным полупроводниковым материалом второго типа проводимости, противоположного первому. Упомянутый эмиттер расположен стопкой на базе в соответствии с первым направлением. Полупроводниковый материал базы и/или эмиттера по меньшей мере одного из упомянутого по меньшей мере одного перехода является полупроводниковым материалом, образованным химическим соединением по меньшей мере одного первого элемента и второго элемента. Ширина запрещенной зоны и постоянная решетки упомянутого полупроводникового материала базы и/или эмиттера зависят от концентрации упомянутого первого элемента в упомянутом химическом соединении по отношению к упомянутому второму элементу. Упомянутая концентрация первого элемента в упомянутом химическом соединении по отношению ко второму элементу не является равномерной вдоль упомянутого первого направления, будучи равной первой величине в нижней части упомянутых базы и/или эмиттера и будучи равной второй величине, меньшей, чем первая величина, в верхней части упомянутых базы и/или эмиттера. Упомянутая верхняя часть находится над упомянутой нижней частью в соответствии с первым направлением. Также предложен способ изготовления монолитного фотовольтаического элемента. Изобретения обеспечивают повышение эффективности солнечных элементов. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится, в основном, к области фотоэлектрических элементов, а конкретно к фотоэлектрическим элементам для солнечного излучения (солнечным элементам). Фотоэлектрический элемент согласно изобретению содержит по меньшей мере один переход (120, 124); причем упомянутый по меньшей мере один переход включает в себя базу (120), сформированную посредством эпитаксиального легированного полупроводникового материала первого типа проводимости, и эмиттер (124), сформированный посредством легированного полупроводникового материала второго типа проводимости, противоположного первому. Упомянутый эмиттер накладывают на базу в соответствии с первым направлением (х), а база по меньшей мере одного упомянутого по меньшей мере одного перехода имеет понижающийся градиент (С(х)) концентрации примеси вдоль упомянутого первого направления. Упомянутая база содержит первую часть на удалении от эмиттера, вторую часть в непосредственной близости к эмиттеру и третью часть между первой частью и второй частью. В первой части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого по существу находится в пределах от −9·1017см-3/мкм до −4·1017 см-3/мкм. Во второй части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого по существу находится в пределах от -3·1017см-3/мкм до -9·1016 см-3/мкм. В третьей части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого по существу находится в пределах от -2·1017см-3/мкм до -5·1016 см-3/мкм. Также предложен способ изготовления описанного выше фотоэлектрического элемента. Изобретение обеспечивает возможность изготовления фотоэлектрических элементов повышенной эффективности. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.
