Патенты автора Пузанков Дмитрий Алексеевич (RU)
СПОСОБ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ К ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ ПРОЦЕССАМ // 2658105
Изобретение относится к технологии обработки полупроводниковых приборов или их частей и может быть использовано для предварительной подготовки поверхности кремниевой подложки к технологическим процессам. В способе предварительной подготовки поверхности кремниевой подложки к технологическим процессам очистку поверхности кремниевой подложки от органических загрязнений проводят с помощью диметилформамида, далее оксидную пленку с поверхности кремниевой подложки удаляют посредством погружения кремниевой подложки в водный раствор плавиковой кислоты HF с молярной концентрацией 0,05-0,09 моль/л, после чего осуществляют отмывку поверхности кремниевой подложки в изопропиловом спирте C3H8O с молярной концентрацией 0,01-0,0125 моль/л, далее поверхность очищенной кремниевой подложки покрывают 40±5%-ным раствором канифоли в изопропиловом спирте центрифугированием, в результате чего на поверхности кремниевой подложки образуется пассивирующая пленка. Технический результат изобретения заключается в получении чистой и устойчивой к окислению поверхности кремниевой подложки с отсутствием гидроксильных групп.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОТРУБОК // 2561380
Изобретение относится к способам, специально предназначенным для изготовления или обработки микроструктурных устройств или систем, и может быть использовано при изготовлении композитных материалов. Способ получения микротрубок включает приготовление исходной смеси, в качестве которой используют эвтектический сплав кремния и алюминия (Si - 12,5%, Al - 87,5%), осуществляют размещение этой смеси на вольфрамовой проволоке, которую затем нагревают в вакууме до температуры плавления смеси, в результате чего получают смачивание расплавленной смеси и растекание ее по поверхности вольфрамовой проволоки, после чего вольфрамовую проволоку с растекшейся по ее поверхности исходной смесью нагревают до температуры 900±10°C и выдерживают при этой температуре не более 10 секунд, получая при этом рост микроструктур силицида алюминия на поверхности вольфрамовой проволоки, после чего вольфрамовую проволоку с находящимися на ней микроструктурами охлаждают до комнатной температуры и отделяют микроструктуры в виде микротрубок силицида алюминия. Изобретение позволяет получить микротрубки силицида алюминия и повысить технологичность процесса. 2 ил.
Использование: для формирования сквозных отверстий или углублений в кремниевой подложке. Сущность изобретения заключается в том, что формирование сквозных отверстий в кремниевой подложке осуществляют путем размещения на кремниевой подложке алюминиевого образца с заданной формой поперечного сечения рабочей части образца, соответствующей форме формируемого в подложке отверстия, и высотой рабочей части образца, не меньшей толщины подложки, далее осуществляют нагрев подложки с размещенным на ней алюминиевым образцом до температуры эвтектики, равной 570±10°С, обеспечивая высокоскоростную диффузию атомов кремния в алюминиевый образец, выдерживают подложку с алюминиевым образцом при температуре эвтектики не менее 10 минут, после чего охлаждают подложку с алюминиевым образцом до комнатной температуры. Технический результат: обеспечение возможности снижения рабочей температуры процесса, осуществление технологического процесса при атмосферной среде, исключение необходимости создания температурного градиента, а также увеличение диапазона размеров поперечного сечения отверстий. 2 ил.
