Патенты автора Марченко Николай Павлович (LV)
Изобретение относится к медицинской технике, а именно к герметичному детектору для спектроскопии нейтронов в водном фантоме. Чувствительным элементом является алмазный детектор. Алмазный детектор состоит из внешнего цилиндрического корпуса. В корпусе размещаются капсула с собственно алмазным детектором, внутренняя и внешняя шайбы с уплотнителями, торцевая гайка и сигнальный кабель. Детектор выполнен с возможностью обеспечения электрогерметичности алмазного детектора при одновременном обеспечении общей герметичности детектора с соблюдением условий спектрометрии нейтронов и возможностью замены алмазного детектора. Внутренняя и внешняя шайбы выполнены с фасками, куда устанавливается один уплотнитель. Внутренняя шайба выполнена с конусом. На конус надвигается внешняя изоляция сигнального кабеля и устанавливается второй уплотнитель. Конструкция уплотняется торцевой гайкой. Обеспечивается электрогерметичность алмазного детектора при одновременном обеспечении общей герметичности узла детектора с соблюдением условий спектрометрии нейтронов и возможностью замены собственно детектора. 1 ил.
ЗАРЯДОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРЕДУСИЛИТЕЛЬ // 2526756
Изобретение относится к области электроники, а именно к предварительным усилителям для съема сигналов с детекторов ионизирующих излучений при использовании длинной кабельной линии в схемах амплитудной спектрометрии и для регистрации ядерных излучений. Техническим результатом является увеличение динамической емкости предусилителя. Устройство содержит входной полевой транзистор n-типа, канал усиления тока, выполненный на паре биполярных транзисторов pnp-типа, и основной усилитель, выполненный на базе широкополосного операционного усилителя, охваченный резистивно-емкостной обратной связью, причем в зарядочувствительном предусилителе входной полевой транзистор и каналы усиления тока включают каскодно-дифференциально так, что сток входного полевого транзистора подключен к эмиттеру первого биполярного транзистора, исток входного полевого транзистора подключен к эмиттеру второго биполярного транзистора, и коллекторы этих транзисторов подключены к неинвертирующему и инвертирующему входам операционного усилителя соответственно, а величины резисторов нагрузок биполярных транзисторов выбирают из условия минимизации входного шума. 3 ил.
