Патенты автора ГОМЕС РИВАС Хайме (NL)

Изобретение относится к антенне терагерцового частотного диапазона, в частности к перестраиваемой антенне терагерцового частотного диапазона на основе полупроводникового материала. Антенна содержит полупроводниковую пленку (3) на пьезоэлектрическом материале (10), имеющую поверхность, приспособленную для проявления поверхностных плазмонов в терагерцовом частотном диапазоне. Поверхность полупроводниковой пленки (3) структурируется с помощью конструкции антенны (4), выполненной с возможностью поддержки локализованных поверхностных плазмонных резонансов в терагерцовом частотном диапазоне. Изобретение позволяет повысить чувствительность и избирательность. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 ил.

 


Наверх