Патенты автора Садыгов Азер Зираддин оглы (RU)
Микропиксельный лавинный фотодиод // 2770147
Микропиксельный лавинный фотодиод может быть использован для регистрации слабых потоков световых и гамма-квантов, а также заряженных частиц в составе устройств медицинской гамма-томографии, радиационного мониторинга и ядерно-физических экспериментов. Техническим результатом изобретения является улучшение стабильности работы и увеличение чувствительности лавинного фотодиода. Микропиксельный лавинный фотодиод включает в себя два полупроводниковых слоя, расположенных на поверхности полупроводниковой подложки и матрицу из полупроводниковых областей, расположенную между полупроводниковыми слоями. Площадь матрицы из полупроводниковых областей полностью окружена охранной матрицей из дополнительных полупроводниковых областей. Между одним из полупроводниковых слоев и полупроводниковой подложкой сформирован высоколегированный слой. Изобретение обеспечивает возможность улучшения стабильности работы и увеличивается чувствительность микропиксельного лавинного фотодиода, поэтому устройство способно работать в режиме счетчика Гейгера, позволяющего регистрировать единичные световые кванты при комнатной температуре. 1 ил.
Полупроводниковый лавинный фотоприемник // 2650417
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к полупроводниковым лавинным фотоприемникам с внутренним усилением сигнала, и может применяться для регистрации слабых потоков световых квантов, гамма излучения и заряженных ядерных частиц. Лавинный полупроводниковый фотоприемник включает полупроводниковый слой первого типа проводимости, на поверхности которого выполнены множество полупроводниковых областей второго типа проводимости, на части поверхности которых расположены индивидуальные эмиттеры, образующие потенциальные барьеры с полупроводниковыми областями, первая и вторая проводящие шины, отделенные от полупроводникового слоя диэлектрическим слоем, индивидуальные микрорезисторы, соединяющие полупроводниковые области с первой проводящей шиной, и дополнительные индивидуальные микрорезисторы, соединяющие индивидуальные эмиттеры со второй проводящей шиной, при этом по всему периметру каждой полупроводниковой области выполнено индивидуальное охранное кольцо, а между каждой полупроводниковой областью и полупроводниковым слоем сформирована дополнительная полупроводниковая область первого типа проводимости с повышенной концентрацией легирующих примесей по сравнению с полупроводниковым слоем. Изобретение направлено на повышение чувствительности и улучшение быстродействия полупроводникового лавинного фотоприемника. 8 з.п. ф-лы, 1 ил.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАВИННЫЙ ДЕТЕКТОР // 2528107
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к полупроводниковым лавинным фотодетекторам с внутренним усилением сигнала, и может применяться для регистрации слабых потоков световых квантов, гамма излучения и заряженных ядерных частиц. Полупроводниковый лавинный детектор согласно изобретению сдержит множество независимых полупроводниковых областей, расположенных на поверхности полупроводникового слоя, множество полупроводниковых областей образуют p-n-переходы с полупроводниковым слоем, общую проводящую шину, отделенную от полупроводникового слоя диэлектрическим слоем и индивидуальные микрорезисторы, соединяющие полупроводниковые области с общей проводящей шиной, при этом на части поверхности упомянутых полупроводниковых областей выполнены индивидуальные эмиттеры, образующие потенциальные барьеры с полупроводниковыми областями, причем упомянутые индивидуальные эмиттеры соединены с дополнительной проводящей шиной посредством дополнительных индивидуальных микрорезисторов. Изобретение направлено на снижение уровня перекрестных оптических наводок и улучшение быстродействия полупроводникового лавинного детектора. 11 з.п. ф-лы, 1 ил.
