Патенты автора Жидик Юрий Сергеевич (RU)

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Способ формирования оптически прозрачного омического контакта к поверхности полупроводникового оптического волновода электрооптического модулятора, выполненного на основе p-i-n гетероэпитаксиальной InP/InGaAs структуры включает напыление контактной пленки электрода на поверхность p+-InGaAs методом магнетронного распыления с последующим нанесением на ее поверхность диэлектрического слоя нитрида кремния методом плазмохимического осаждения, формирование диэлектрической маски путем проведения операций нанесения/экспонирования и проявления фоторезистивных плёнок с последующим плазмохимическим травлением диэлектрических плёнок, удалением фоторезистивной маски, плазмохимическим травлением контактной пленки электрода и полупроводника p-типа проводимости по маске сформированного диэлектрического рисунка, формированием диэлектрической маски путем проведения операций нанесения/экспонирования и проявления фоторезистивных плёнок с последующим плазмохимическим травлением диэлектрических плёнок, удалением фоторезистивной маски, плазмохимическим травлением полупроводника i-типа проводимости по маске сформированного диэлектрического рисунка, удалением остатков диэлектрической маски плазмохимическим травлением с последующим проведением отжига сформированной топологии контактной пленки электрода, формированием диэлектрической маски путем проведения операций нанесения/экспонирования и проявления фоторезистивных плёнок с последующим плазмохимическим травлением диэлектрических плёнок, удалением фоторезистивной маски, плазмохимическим травлением полупроводника n-типа проводимости по маске сформированного диэлектрического рисунка и удаление остатков диэлектрической маски плазмохимическим травлением, а в качестве контактной пленки электрода используется оптически прозрачная электропроводящая пленки ITO, осажденная методом реактивного магнетронного распыления. Достигаемый технический результат заключается в обеспечении прозрачности омического контакта управляющего электрода ЭОМ для проходящего сквозь контакт оптического излучения, возможности формирования ЭОМ по технологии самосовмещенного с волноводом управляющего электрода, а также в обеспечении увеличения процента выхода годных образцов ЭОМ и улучшения качества изготавливаемого контакта. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Способ включает формирование в известной магнетронной распылительной системе планарного типа магнитного поля, зажигание разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях, распыление материала катода и его осаждение на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры. Между магнетронным источником и полупроводниковой гетероэпитаксиальной структурой расположена магнитная система, отклоняющая проходящие через нее высокоэнергичные заряженные частицы плазмы газового разряда. Магнитная система, отклоняющая проходящие через нее высокоэнергичные заряженные частицы плазмы газового разряда, может быть выполнена в виде прямоугольного корпуса из стали с закрепленными в нем с двух противоположных сторон магнитов таким образом, чтобы созданное ими магнитное поле во внутренней части системы было направлено ортогонально движению осаждаемых на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры атомов. Достигается отклонение магнитной системой в процессе напыления высокоэнергетичных заряженных частиц от поверхности полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры для предотвращения ее бомбардировки и, соответственно, образование в ней радиационных дефектов. 1 ил.

Использование: для изготовления органических светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светоизлучающий диод содержит прозрачную или частично прозрачную подложку с нанесенной на нее слоистой структурой, содержащей по меньшей мере один органический электролюминесцентный слой и транспортные подслои из органических веществ n- и p-типов проводимости, расположенных на границах электролюминесцентный слой - контактный слой. Органическая слоистая структура заключена между нижним катодом, на поверхности которого сформирована система микроострий, и верхним, анодом, выполненным из пленки ITO также со сформированной системой микроострий. Технический результат: обеспечение возможности повышения уровня и равномерности инжекции носителей, реализации изделия, отвечающего требованиям по яркости свечения и рабочим характеристикам, не усложняя технологию и обеспечение возможности использования легкодоступных металлов. 1 ил.

 


Наверх