Патенты автора Ахмедов Фатхулла Абдуллаевич (RU)
Изобретение относится к солнечным элементам (СЭ) с HIT структурой на основе кристаллического кремния. Фотопреобразователь с HIT структурой на основе кристаллического кремния с α-Si - c-Si гетеропереходами с тонким внутренним i-слоем из α-Si содержит эмиттер - α-Si (р+), базу - c-Si (n), дифракционную решетку, тыльный потенциальный барьер - α-Si (n+) и токосъемные контакты. Слои α-Si (i) и α-Si (р+) осаждены на дифракционную «решетку», сформированную на фронтальной поверхности кристаллического кремния и имеющую волнообразный рельеф. Техническим результатом заявленного изобретения является уменьшение толщины фотопреобразователя с HIТ структурой в несколько раз по сравнению с известными элементами без снижения КПД преобразования за счет сильного отклонения входящих в кристалл длинноволновых квантов и в результате этого сужения области генерации носителей тока к фронтальной поверхности кристалла. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение может быть использовано для создания солнечных батарей космического применения. Солнечный фотопреобразователь на основе монокристаллического кремния с n+-р или р+-n переходом у фронтальной поверхности, изотипным р-р+ или n-n+ тыльным потенциальным барьером для неравновесных неосновных носителей тока, дифракционной решеткой на фронтальной поверхности с периодом, равным 1 мкм, содержит эмиттер, базу и токосъемные контакты, при этом тыльный потенциальный барьер для неравновесных неосновных носителей тока сформирован за областью генерации зарядов на расстоянии 15÷20 мкм от фронтальной поверхности фотопреобразователя. Техническим результатом настоящего изобретения является увеличение срока службы фотопреобразователя в космосе, а также уменьшение его веса при сохранении высоких значений кпд преобразования солнечного излучения. Изобретение обеспечивает увеличение срока службы фотопреобразователя в космосе, а также уменьшение его веса при сохранении высоких значений кпд преобразования солнечного излучения. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Изобретение относится к физике и технологии полупроводниковых приборов, в частности к солнечным элементам на основе кристаллического кремния. Солнечный элемент на основе кристаллического кремния состоит из областей p- и n-типов проводимости, электродов к р- и n-областям, при этом согласно изобретению на фронтальной поверхности кристалла сформирована дифракционная решетка с периодом, равным длине волны кванта излучения, энергия которого равна ширине запрещенной зоны кристалла. Изобретение обеспечивает уменьшение глубины поглощения квантов солнечного излучения, снижение световых и электрических потерь, а также увеличение эффективности преобразования и возможность создания сверхтонких кристаллических солнечных элементов. 2 ил.
