Использование: для создания компьютерных систем на основе мемристорных устройств со стабильными и повторяемыми характеристиками. Сущность изобретения заключается в том, что мемристорный материал включает наноразмерный слой фтористого лития, содержащего нанокластеры металла, причем наноразмерный слой выполнен в виде пленки на диэлектрической подложке, а в качестве материала для нанокластеров использована медь. Технический результат: обеспечение возможности упрощения технологии приготовления мемристорного материала и улучшения технических параметров Roff/Ron>103. 2 ил.
Изобретение относится к области плазменной техники. Технический результат - повышение стабильности плазменного потока и устойчивости протекания тока в межэлектродном промежутке, что обеспечивает существенное уменьшение времени коммутации и увеличение амплитуды разрядного тока. Электродная система устройства для стабилизации катодного плазменного потока включает соосные катод, анод и управляющий электрод, в межэлектродный промежуток введен дополнительный изолированный электрод, представляющий собой полый металлический цилиндр, содержащий щель вдоль одной из образующих по всей длине цилиндра и соосный с электродной системой, причем диаметр цилиндра составляет 3-8 диаметров катода, а длина составляет 0.6-0.8 длины межэлектродного промежутка. 2 ил.