Патенты автора Басс Михаил Васильевич (RU)
Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники. Способ формирования наноразмерной пленки карбида вольфрама включает нанесение на полупроводниковую или диэлектрическую подложку в процессе импульсно-плазменного осаждения на двуканальной установке импульсного осаждения электроэрозионной дуговой плазмы двухслойной структуры покрытия суммарной толщиной 5 нм, состоящей из пленки вольфрама и пленки углерода, и карботермический синтез в вакууме при давлении не выше 5·10-4 Па и температуре не более 450°C не более 10 мин со скоростью нагрева и охлаждения не менее 25 град/мин при соотношении толщин пленок вольфрама и углерода 5:1 и 3,5:1. Изобретение обеспечивает возможность формирования пленок карбида вольфрама в технологии кремниевых интегральных схем в качестве диффузионных барьеров и сверхтвердых покрытий. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к способу формирования защитного покрытия в виде пленки некристаллического углерода и может быть использовано в микро- и радиоэлектронной промышленности при изготовлении защитных покрытий полупроводниковых и оптических приборов. На полупроводниковой подложке формируют защитное покрытие методом импульсной конденсации электроэрозионной дуговой углеродной плазмы с энергией частиц не более 50 эВ при давлении в вакууме не выше 5∗10-4 Па и температуре подложки не более 25°С. Осаждение пленки некристаллического углерода осуществляют через криволинейную плазмооптическую систему, не имеющую прямой видимости между областями генерации и конденсации плазмы, при замыкании части силовых линий магнитного поля на анод генератора. Магнитный поток внутри генератора создают меньшим по величине, чем магнитный поток через плазмооптическую систему. Технический результат заключается в том, что при генерации и транспортировке углеродной плазмы создаются условия, обеспечивающие отсутствие на поверхности конденсации макрочастиц, неионизированного пара, высокоэнергетичных ионов углерода и примесей посторонних элементов. 2 з.п. ф-лы.
