Патенты автора БАРТЕЛЬМЕСС Райнер (DE)

Использование: для создания силового полупроводникового элемента. Сущность изобретения заключается в том, что модуль силового полупроводникового элемента для закрепления на охлаждающем теле включает в себя: по меньшей мере, один силовой полупроводниковый элемент; средства контактирования, чтобы электрически контактировать с упомянутым, по меньшей мере, одним силовым полупроводниковым элементом; выполненную, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной прижимную пластину; средства предварительного напряжения, которые рассчитаны для того, чтобы предварительно напрягать средства контактирования к силовому полупроводниковому элементу для электрического контактирования, а силовой полупроводниковый элемент к упомянутой, по меньшей мере, одной теплопроводной области упомянутой выполненной, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной прижимной пластины в направлении охлаждающего тела для термического контактирования; крепежные средства для закрепления средств предварительного напряжения на охлаждающем теле, причем крепежные средства включают в себя упомянутую выполненную, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной прижимную пластину, причем упомянутая, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводная прижимная пластина образует, по меньшей мере, один окружающий силовой полупроводник резервуар, в резервуаре размещена заливочная масса. Технический результат: обеспечение возможности легкой заливки модуля заливочной массой. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к дисковой ячейке (1) для прижимного контакта нескольких полупроводниковых элементов при помощи создающих зажимное усилие (F) зажимных средств (4, 13), включающей в себя: корпус (2, 3, 7, 8); по меньшей мере один первый, установленный в корпусе, полупроводниковый элемент (6) первого типа конструкции; по меньшей мере один второй, установленный в корпусе, полупроводниковый элемент (5) второго, отличного от первого, типа конструкции; причем корпус (2, 3, 7, 8) включает в себя по меньшей мере одну, покрывающую первый (6) и второй (5) полупроводниковые элементы, ориентированную по существу под прямым углом к зажимному усилию (F) металлическую прижимную пластину (2) для зажатия первого и второго полупроводникового элемента, причем прижимная пластина (2) выполнена таким образом, что зажимное усилие (F) воздействует на нее с локальным ограничением (9) для зажатия при помощи прижимной пластины (2) первого (6) и второго (5) полупроводникового элемента, причем первый полупроводниковый элемент (6) расположен под локальной областью (9) воздействия зажимного усилия (F), а второй полупроводниковый элемент (5) расположен по меньшей мере частично за пределами локальной области (9) воздействия. Изобретение обеспечивает высокую степень интеграции и упрощение регулировки зажатия. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам. В полупроводниковом конструктивном элементе, имеющем полупроводниковое тело (21) с первой стороной (22), второй стороной (23) и краем (24), внутреннюю зону (27) с основным легированием первого типа проводимости, расположенную между первой стороной (22) и внутренней зоной (27) первую полупроводниковую зону (61) первого типа проводимости с концентрацией легирования, которая выше концентрации легирования внутренней зоны (27), расположенную между второй стороной (23) и внутренней зоной (27) вторую полупроводниковую зону (29) второго типа проводимости, с концентрацией легирования выше концентрации легирования внутренней зоны (27), по меньшей мере один первый краевой скос, который проходит под первым углом (30) к плоскости прохождения перехода от второй полупроводниковой зоны (29) к внутренней зоне (27) по меньшей мере вдоль края (24) второй полупроводниковой зоны (29) и внутренней зоны (27), второй краевой скос со вторым углом (71), величина которого меньше величины первого угла, который проходит вдоль края (24) первой полупроводниковой зоны (61) или скрытой полупроводниковой зоны (41), при этом по меньшей мере одна скрытая полупроводниковая зона (41) второго типа проводимости с концентрацией легирования, которая выше, чем во внутренней зоне (27), предусмотрена между первой полупроводниковой зоной (61) и внутренней зоной (27) и проходит по существу параллельно первой полупроводниковой зоне (61). Изобретение позволяет исключить повышенные пики силы поля в краевой области, возникающие во время процесса выключения полупроводникового конструктивного элемента, а также обеспечивает повышенную воспроизводимость и меньший разброс электрических свойств. 9 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к способу и устройству получения кромки полупроводниковых устройств. В способе получения кромки полупроводникового устройства, включающем подготовку полупроводниковой подложки, которая имеет по меньшей мере две основные поверхности, каждая из которых имеет край, и по меньшей мере одну краевую область, которая прилегает по меньшей мере к одному из краев, нанесение химического травителя при одновременном вращении полупроводниковой подложки направленно по меньшей мере на одну краевую область полупроводниковой подложки так, что травление ограничено краевой областью, при этом начинают нанесение травителя на радиально внутреннюю часть, и зону обработки в процессе травления изменяют радиально наружу. Изобретение обеспечивает возможность получения кромки полупроводникового устройства при меньшем количестве этапов способа и с высокой точностью и воспроизводимостью. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

 


Наверх