Патенты автора Марков Лев Константинович (RU)
Светоизлучающий диод на кремниевой подложке // 2755933
Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а именно к светоизлучающим диодам. Светоизлучающий диод содержит подложку из кремния с нанесенным на нее слоем карбида кремния, на котором сформированы слои светоизлучающей структуры, и снабжен токоподводящими контактами. Согласно изобретению на границе раздела кремния и карбида кремния в кремнии сформирован разуплотненный слой с тупиковыми порами, не содержащими внедренного материала карбида кремния и обеспечивающими увеличение отражения света от подложки и его рассеяние. Светоизлучающая структура, сформированная на слое карбида кремния, содержит буферный слой, слои n-типа проводимости, активную область, слои р-типа проводимости. Эти слои сформированы из III-нитридных материалов. Изобретение обеспечивает повышение квантового выхода светоизлучающих диодов за счет уменьшения поглощения и увеличения отражения и рассеяния света на границе раздела подложка/светоизлучающая гетероструктура. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости. На полученной гетероструктуре формируют прозрачный электропроводящий слой ГТО толщиной 100-700 нм электронно-лучевым испарением при температуре подложки 400-500°С с последующим отжигом в атмосфере газа при давлении, близком к атмосферному. Формируют металлические контакты соответственно на прозрачный электропроводящий слой ГТО и на слой нитридного полупроводника n-типа проводимости. После формирования металлических контактов на прозрачный электропроводящий слой ГТО наносят атомно-слоевым осаждением слой толщиной 5-15 нм прозрачного химически стойкого материала, в качестве которого могут выступать SiO2, или Аl2O3. Изобретение позволяет получить светоизлучающие диоды с увеличенным сроком эксплуатации за счет уменьшения деградации контакта со временем. 3 з.п. ф-лы, 4 пр., 1 ил.
Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости. На полученной гетероструктуре формируют прозрачный электропроводящий слой ITO толщиной 100-350 нм электронно-лучевым испарением при температуре подложки (400-500)°С с последующим отжигом в атмосфере газа при давлении, близком к атмосферному. Формируют металлические контакты соответственно на прозрачный электропроводящий слой ITO и на слой нитридного полупроводника n-типа проводимости. После формирования металлических контактов на прозрачный электропроводящий слой ITO наносят слой SiO2 с удельной поверхностной массой 5-15 мкг/см2 магнетронным распылением без нагрева подложки. Изобретение обеспечивает возможность формирования светоизлучающих диодов с увеличенным квантовым выходом за счет получения контактных слоев к поверхности GaN р-типа проводимости, обладающих более высоким коэффициентом пропускания излучения. 2 ил.
Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости. На полученной гетероструктуре формируют первый прозрачный электропроводящий слой ITО толщиной 70-300 нм электронно-лучевым испарением при температуре подложки (15-75)°С с промежуточным отжигом в атмосфере газа при давлении, близком к атмосферному. На первом прозрачном электропроводящем слое IТО формируют дополнительный прозрачный электропроводящий слой IТО толщиной (100-300) нм электронно-лучевым испарением при температуре подложки (400-500)°С, на котором формируют второй прозрачный электропроводящий слой IТО толщиной (30-200) нм магнетронным распылением без нагрева подложки. Отжигают полученную структуру в атмосфере газа при давлении, близком к атмосферному. Наносят металлические контакты соответственно на второй прозрачный электропроводящий слой IТО и на слой нитридного полупроводника n-типа проводимости. Способ согласно изобретению позволяет получить свеизлучающие диоды с увеличенным квантовым выходом без ущерба его эксплуатационным характеристикам за счет получения контактных слоев к поверхности GaN р-типа проводимости, обладающих одновременно высокой электропроводностью и высоким коэффициентом пропускания излучения. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к оптоэлектронике, а именно к электропроводящим оптически прозрачным покрытиям на основе оксида индия и олова. Способ получения покрытия на основе оксида индия и олова на поверхности подложки включает напыление на подложку оксида индия и олова с обеспечением требуемого значения показателя преломления покрытия за счет выбора технологического параметра процесса напыления. Согласно изобретению напыление осуществляют при нормальной ориентации подложки относительно потока напыляемого вещества, процесс напыления оксида индия и олова на подложку включает последовательно осуществляемые операцию напыления оксида индия и олова методом электронно-лучевого испарения или магнетронного распыления при температуре от 400 до 500°С и операцию напыления оксида индия и олова методом магнетронного распыления при температуре от 15 до 75°С, при этом обеспечивают требуемое значение показателя преломления покрытия за счет выбора массы вещества, наносимого на каждой из указанных операций напыления. Техническим результатом, достигаемым при реализации изобретения, является получение покрытия оксида индия и олова с заданным значением показателя преломления при обеспечении его однородности по толщине.
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД // 2549335
Изобретение относится к светоизлучающим диодам, содержащим эпитаксиальные структуры на основе нитридных соединений металлов III группы. Светоизлучающий диод содержит эпитаксиальную структуру на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы, включающую расположенные последовательно в направлении эпитаксиального роста слой n-типа проводимости, активный слой с p-n-переходом, слой p-типа проводимости, а также металлические контактные площадки к слою n-типа проводимости, размещенные в углублениях, сформированных в эпитаксиальной структуре на уровне слоя n-типа проводимости, при этом светоизлучающий диод содержит металлический p-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве положительного электрода, нанесенный поверх слоя p-типа проводимости, изоляционный слой, покрывающий металлический p-контактный слой и внутреннюю боковую поверхность углублений, сформированных в эпитаксиальной структуре, и металлический p-контактный слой, предназначенный для использования его в качестве отрицательного электрода, покрывающий изоляционный слой и контактирующий с каждой металлической контактной площадкой к слою p-типа проводимости, согласно изобретению металлические контактные площадки к слою n-типа проводимости в горизонтальной плоскости сечения светоизлучающего диода имеют вид двух узких протяженных полос, каждая из которых расположена на периферии одной из половин указанного сечения и проходит вдоль большей части ее границы с отступом от нее, первый и второй концевые участки одной полосы расположены с зазором соответственно относительно первого и второго концевого участка второй полосы, при этом указанные полосы образуют фигуру, конфигурация которой соответствует конфигурации периметра светоизлучающего диода, имеющую разрыв в серединной ее части. Изобретение обеспечивает повышение однородности плотности тока в активной области светодиода и уменьшение последовательного электрического сопротивления. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости, первого прозрачного электропроводящего слоя оксида индия олова (ITO) толщиной 5-15 нм электронно-лучевым напылением с промежуточным отжигом в атмосфере газа при давлении, близком к атмосферному, второго прозрачного электропроводящего слоя ITO существенно большей толщины, с последующим отжигом полученной структуры при давлении газа, близком к атмосферному, и нанесение металлических контактов соответственно на второй прозрачный электропроводящий слой ITO и на слой нитридного полупроводника n-типа проводимости. Второй прозрачный электропроводящий слой ITO наносят магнетронным распылением мишени. Способ согласно изобретению позволяет получать нитридный светоизлучающий диод с контактными слоями, имеющими максимальную прозрачность, более высокий коэффициент преломления, большую подвижность носителей заряда и лучшую электрическую проводимость. 1 ил., 2пр.
