Патенты автора Власенко Максим Михайлович (RU)

Изобретение относится к толстопленочной микроэлектронике, а именно к технологиям, используемым при производстве солнечных элементов на основе гетероперехода. Технический результат - обеспечение максимальных значений электропараметров солнечных элементов при существенном повышении производительности их изготовления. Способ формирования токосъёмного контакта на поверхности солнечных элементов с гетеропереходом основан на применении специальной металлизационной пасты на основе порошка серебра и технологических режимов её обработки, позволяющих значительно повысить скорость её нанесения, а также осуществить ускорение спекания частиц серебра согласно многоступенчатому механизму формирования-распада галогенида серебра в ходе термической деструкции галогенсодержащего полимера. 3 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.

Изобретение относится к толстопленочной микроэлектронике. Полимерная токопроводящая паста для солнечных элементов с гетеропереходами включает порошок серебра, органическое связующее, содержащее в составе растворителя структурообразующий компонент, и функциональную добавку, причем в составе в качестве структурообразующего компонента используется галогенсодержащий полимер с температурой размягчения ниже 200°С, а в качестве функциональной добавки используется полимерное кремнийорганическое соединение с числом силоксановых звеньев менее 3000, при следующем соотношении компонентов, в мас.%: порошок серебра - 80-95; органическое связующее - 4-18; функциональная добавка - 0,1-2,0. Порошок серебра может иметь средний размер частиц D50 0,5-5,0 мкм. Количество структурообразующего компонента в составе органического связующего может составлять 5-10 мас.%. Функциональная добавка может содержать дополнительные компоненты. При измерении реологических характеристик токопроводящей пасты в координатах «скорость сдвига [с-1] - напряжение сдвига τ [Па]», кривая течения характеризуется отрицательным наклоном при превышении пороговой величины скорости сдвига, равной 40 с-1. Техническим результатом является повышение эффективности солнечного преобразователя, снижение степени поверхностного натяжения пасты, улучшение процесса трафаретной печати и топологии токопроводящего контакта, снижение линейного и удельного сопротивления проводника, повышение его проводимости. 4 з.п. ф-лы, 12 пр., 27 ил.

Изобретение относится к толстопленочной микроэлектронике. Алюминиевая паста для изготовления тыльного контакта кремниевых солнечных элементов c тыльной диэлектрической пассивацией включает порошок алюминия, органическое связующее, порошок стекла, причем паста дополнительно содержит одно или смесь металлоорганических соединений щелочноземельных металлов, при следующем соотношении компонентов, масс. %: порошок алюминия - 68-83; порошок стекла - не более 1,0; металлоорганические соединения щелочноземельных металлов - 0,1-2,0; органическое связующее - 15-35. Изобретение обеспечивает снижение повреждения диэлектрической пассивации пастой в процессе вжигания контактной системы солнечного элемента при одновременном повышении качества тыльного алюминиевого контакта и качества пассивации в локальных контактах за счет получения однородного локального BSF слоя, существенное снижение дефектности и повышение КПД солнечного элемента при массе отпечатка алюминиевой пасты менее 0,7 грамма на один солнечный элемент. 4 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл., 12 пр.
Изобретение относится к толстопленочной микроэлектронике. Алюминиевая паста для кремниевых солнечных элементов включает частицы порошка алюминия, органическое связующее и стеклофритту, причем в пасте используют мелкодисперсный алюминиевый порошок, частицы которого имеют сферическую форму, причем используется сочетание алюминиевых порошков со средним размером частиц D50 не более 3,0 мкм и 4,0-6,0 мкм в соотношении (10:50):(90:50) соответственно, при следующем соотношении компонентов, в мас.%: алюминиевый порошок 70-80; органическое связующее 15-30; стеклофритта 0-5. В качестве стеклофритты может использоваться смесь висмутатного и свинцово-боросиликатного стекла со средним размером частиц D50 не более 10,0 мкм, предпочтительно 2,0-3,0 мкм. Паста может содержать металлоорганическое соединение и/или кремнийорганическое соединение и/или сополимер в количестве 0-2 мас.%. Паста может содержать наночастицы аморфного диоксида кремния, имеющие размер не более 200 нм и удельную поверхность 100-400 м2/г в количестве 0-2 мас.%. Технический результат - повышение тока короткого замыкания, снижение последовательного сопротивления солнечного элемента, что приводит к повышению КПД, снижение затрат при изготовлении пасты и солнечного элемента. 3 з.п. ф-лы, 2 табл.

 


Наверх