Патенты автора Бекезина Татьяна Петровна (RU)
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к области технологий получения контактов золото-кремний с помощью электрохимических методов осаждения металла. Предлагается способ электрохимического осаждения золота на кремниевые полупроводниковые структуры, включающий химическую обработку кремниевой полупроводниковой пластины в растворах и последующее электрохимическое осаждение золота из электролитов золочения с рН=6÷7, при этом перед электрохимическим осаждением золота проводят химическую обработку в растворе смеси, состоящей из алифатического спирта и плавиковой кислоты в соотношении от 1:0 до 1:8. Изобретение обеспечивает возможность формирования сплошного, равномерного по поверхности пластины слоя золота, хорошо сцепленного с гладкой полупроводниковой кремниевой пластиной. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ РУТЕНИЯ // 2666180
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к изготовлению контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения. Способ изготовления выпрямляющих контактов к арсениду галлия включает: локальную металлизацию поверхности n-GaAs электрохимическим осаждением рутения из сульфаматного электролита рутенирования на основе гидроксихлорида рутения, содержащего г/л: Ru(OH)Cl3 (в пересчете на металл) - 2,5-5, NH2SO3H - 25-50, при температуре 20-65°C, катодной плотности тока 1,0-5,0 А/дм2, без или с наложением ультразвукового поля. Последующий отжиг рутениевых контактов проводят при температуре 400°C в атмосфере водорода в течение 10 минут. Способ позволяет получать качественные выпрямляющие рутениевые контакты к арсениду галлия Ru/n-GaAs, в том числе, малого размера, с электрофизическими характеристиками, близкими к идеальным, имеющие большую термическую устойчивость (вплоть до 500°C). Изобретение обеспечивает также упрощение технологического процесса. 2 з.п. ф-лы, 2 табл., 1 ил.
ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИРИДИЯ НА АРСЕНИД ГАЛЛИЯ И СПОСОБ ЕГО ПРИГОТОВЛЕНИЯ // 2530963
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в полупроводниковой СВЧ-электронике для получения выпрямляющих иридиевых контактов к арсениду галлия. Кроме того, иридиевые покрытия пригодны для защиты электрических контактов, работающих в условиях эрозионного износа, для защиты металлов от коррозии, в том числе при повышенной температуре. Способ приготовления электролита для электрохимического осаждения иридия на арсенид галлия включает растворение в деионизированной воде сульфаминовой кислоты и гексахлориридиевой кислоты при термообработке раствора на водяной бане с температурой 100 °C, при этом растворяют 30-60 г/л сульфаминовой кислоты и 3,0-6,5 г/л гексахлориридиевой кислоты в пересчете на иридий, а термообработку раствора проводят в течение 3-4 часов до перехода исходной окраски раствора в устойчивую оранжево-желтую, после чего раствор охлаждают, фильтруют и добавляют деионизированную воду до исходного содержания иридия. Техническим результатом является повышение качества покрытий с высоким выходом по току и высокой термической и атмосферной устойчивостью. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 табл., 1 ил.
