Патенты автора Коваленко Алексей Юрьевич (RU)
Изобретение относится к области подводной навигации и предназначено для повышения оперативности получения подводным объектом (ПО) его географических координат и сокращения экономических затрат при решении ПО поставленных задач за счет использования одного дрейфующего навигационного маяка (ДНМ) вместо не менее трех. Технический результат заключается в разработке способа оперативного получения географических координат ПО, оборудованных приемопередатчиком гидроакустической навигационной системы, работающей в режиме ультракороткой базы или короткой базы - по одному дрейфующему навигационному маяку. С этой целью на ПО устанавливается датчик давления и спецвычислитель не менее чем с 32-разрядной сеткой. ПО запрашивает с ДНМ его географические координаты (широту ВД и долготу LД), полученные с помощью глобальной навигационной системы (ГНСС), с одновременным измерением дистанции (D) до ДНМ и пеленга (α) на него. Полученные географические координаты ДНМ в спецвычислителе пересчитываются в прямоугольные пространственные координаты (X, Y, Z), а затем рассчитываются сферические (широта ϕД и долгота λД) на земной сфере, касающейся общеземного эллипсоида в точке нахождения ДНМ, по значению давления Р на глубине нахождения ПО, полученной от датчика давления, в спецвычислителе производится пересчет давления Р в глубину Н нахождения ПО и дистанции D в центральный угол ϕ земной сферы, затем по сферическим координатам ДНМ ϕД и λД, центральному углу ϕ производится расчет сферических координат ПО (широты ϕПО и долготы λПО) и оценка точности полученного решения, затем по сферическим координатам ϕПО и λПО рассчитываются прямоугольные пространственные координаты ПО (XПО, YПО, ZПО) и производится пересчет сферических координат ϕПО и λПО в географические координаты широты ВПО и долготы LПО. 6 ил.
Группа изобретений относится к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых приборов. Техническим результатом является обеспечение высокой температурной стабильности сопротивления, повышение максимально допустимой температуры резистора (до +260°C) и рабочего импульсного напряжении в 2÷2,5 раза (до 5000 В). В резистивном элементе обеспечивается содержание атомов платины, выбранной в качестве создающей глубокие уровни захвата в запрещенной зоне кремния примеси, с концентрацией в интервале от 2,5·1013 см-3 для кремния p-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением ρp0=150 Ом·см до 9·1014 см-3 для кремния p-типа электропроводности с ρр0=0,4 Ом·см, а в предлагаемом способе изготовления мощного полупроводникового резистора проводят диффузию атомами платины при температуре в интервале от 870°C для кремния p-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением ρр0=150 Ом·см до 1190°C для кремния p-типа электропроводности с ρр0=0,4 Ом·см. 2 н.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл.
