Патенты автора ПИСЬМЕННЫЙ Виктор Александрович (RU)
Изобретение может быть использовано в оптических системах оптических, оптоэлектронных и лазерных приборов, работающих в ультрафиолетовой, видимой и ИК областях спектров. Плоско-вогнутая линза изготовлена из пластически деформированной заготовки, в которой входящая плоская поверхность перпендикулярна оси симметрии заготовки и образована со стороны вершины заготовки на расстоянии х0<Н, где Н - толщина заготовки. Выходящая поверхность линзы имеет профиль, обеспечивающий изменение толщины hy=h0×n0/ny, где h0 - толщина линзы в центре, n0 - показатель преломления обыкновенного луча, а ny - показатель преломления необыкновенного луча на расстоянии Y от центра линзы. Заготовку изготавливают путем пластической деформации плоскопараллельной пластинки из Z-среза кристалла методом центрально-кольцевого изгиба. Поверхность линзы формируют удалением с заготовки избыточного слоя материала. Технический результат - создание линзы из лейкосапфира, формирующей плоский волновой фронт необыкновенных лучей и прозрачной в области 25000-2000 см-1 для параллельного пучка света, перпендикулярного входящей поверхности. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к технологии выращивания труб из монокристаллов тугоплавких оксидов металлов и их твердых растворов: сапфира, алюмо-магниевой шпинели, алюмо-иттриевого граната, и может быть использовано в различных областях науки и техники, где требуются высокопрочные, инертные и термостойкие трубы. Устройство включает тигель, состоящий из соосно расположенных, выполненных из молибдена наружной трубы 1 и, по меньшей мере, одной внутренней трубы 2, молибденовой крышки 7, установленной сверху, и цанги 3, расположенной внизу тигля, на которую установлены наружная 1 и внутренняя 2 трубы и цилиндрическая монокристаллическая затравка 4, имеющая, по меньшей мере, один канал 5 для установки в ней внутренней трубы 2. Исходную шихту 6 размещают в данном устройстве, где ее засыпают между наружной и внутренней трубами тигля и плавят в установке вертикальной направленной кристаллизации на уровне изотермы кристаллизации при движении тигля вверх, выдерживают расплав в верхнем положении не менее 2 часов и осуществляют кристаллизацию на уровне изотермы со скоростью не более 5 мм/час. Изобретение позволяет получать монокристаллические трубы заданного размера и формы высокого качества, не имеющие пузырей и блоков. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
