Патенты автора КРУТОВА Лариса Ивановна (RU)
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАДОЛИНИЙ-СКАНДИЙ-АЛЮМИНИЕВЫХ ГРАНАТОВ ДЛЯ ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ // 2550205
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах и лидарах, работающих в области 1,2-1,55 мкм. Кристаллы выращивают методом Чохральского из расплава исходной шихты, в котором в качестве шихты используют полученный методом твердофазного синтеза гадолиний-скандий-алюминиевый гранат состава Gd2,88Sc1,89Al3V0,03O12, причем ванадий вводят в виде оксида V2O5, а процесс выращивания кристалла ведут в среде аргона при давлении в камере 1,2-1,8 атм, затем кристалл отжигают в вакууме 3-5·10-4 мм рт. ст. при температуре 1600°C в течение 3-6 часов. Изобретение позволяет выращивать совершенные кристаллы гадолиний-скандий-алюминиевого граната, легированные катионами ванадия, с коэффициентом поглощения 1,2-2,5 см-1 на длинах волн 1,20-1,55 мкм, обеспечивающие на пассивных лазерных затворах необходимый режим модуляции добротности в импульсном режиме работы. 2 пр.
Изобретение относится к технологии выращивания труб из монокристаллов тугоплавких оксидов металлов и их твердых растворов: сапфира, алюмо-магниевой шпинели, алюмо-иттриевого граната, и может быть использовано в различных областях науки и техники, где требуются высокопрочные, инертные и термостойкие трубы. Устройство включает тигель, состоящий из соосно расположенных, выполненных из молибдена наружной трубы 1 и, по меньшей мере, одной внутренней трубы 2, молибденовой крышки 7, установленной сверху, и цанги 3, расположенной внизу тигля, на которую установлены наружная 1 и внутренняя 2 трубы и цилиндрическая монокристаллическая затравка 4, имеющая, по меньшей мере, один канал 5 для установки в ней внутренней трубы 2. Исходную шихту 6 размещают в данном устройстве, где ее засыпают между наружной и внутренней трубами тигля и плавят в установке вертикальной направленной кристаллизации на уровне изотермы кристаллизации при движении тигля вверх, выдерживают расплав в верхнем положении не менее 2 часов и осуществляют кристаллизацию на уровне изотермы со скоростью не более 5 мм/час. Изобретение позволяет получать монокристаллические трубы заданного размера и формы высокого качества, не имеющие пузырей и блоков. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
