Патенты автора Гололобов Геннадий Владимирович (RU)
Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат направлен на повышение достоверности определения типа и количества загрязняющих примесей на поверхности полупроводниковых пластин после плазмохимического травления и определения оптимального значения длительности времени травления. В способе определения длительности времени плазмохимического травления поверхности полупроводниковых пластин для удаления пленок с немаскированных поверхностей и получения чистой поверхности осуществляется травление нескольких пластин в течение разных длительностей времени, определяются количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин и определяется длительность времени травления по времени травления пластины с минимальным количеством загрязняющих примесей на поверхности, при этом определение количества остаточных и загрязняющих примесей на поверхностях пластин производится зондированием поверхностей ионными пучками гелия и неона с энергиями 1-5 кэВ, плотностью тока пучка менее 100 мкА/см2 и регистрацией энергетического спектра отраженных ионов под углом рассеяния более 90° и по энергиям и величинам максимумов в спектре определяется соответственно тип и количество загрязняющих примесей. 1 ил.
Изобретение относится измерительной технике и представляет собой способ измерения контактной разности потенциалов между проводящими материалами (металлами, полупроводниками, электролитами) и может быть использовано для измерения электродных потенциалов, работы выхода поверхности, для контроля состояния поверхности материалов в различных атмосферах, а также для контроля характеристик межфазных границ. При реализации способа поверхности материалов, между которыми измеряют контактную разность потенциалов, располагают друг напротив друга, при этом измеряемые материалы удаляют друг от друга и соединяют с электрически незаряженным проводником (землей), и размещают между ними материал с большой диэлектрической постоянной, в частности сегнетоэлектрик. Затем соединяют исследуемые материалы друг с другом через резистор и в момент времени присоединения резистора измеряют на резисторе импульс напряжения и определяют величину контактной разности потенциалов как величину измеренного напряжения на резисторе. Техническим результатом является повышение точности измерения величины контактной разности потенциалов, воспроизводимости результатов измерений. 2 ил.
