Патенты автора Сарычев Максим Николаевич (RU)

Изобретение относится к дозиметрии ионизирующих излучений. Предлагается способ получения тонкослойных детекторов ионизирующих излучений для кожной и глазной дозиметрии, использующий стандартный детектор Аl2О3:С на базе анион-дефектного корунда, при этом детектор нагревают до температуры 1120-1220К, выдерживают при этой температуре 10-40 минут с одновременным облучением его в нагретом состоянии интегральным потоком света от ртутного газоразрядного источника с последующим нагревом в темноте поверхностного слоя детектора толщиной 10-13 мкм до температуры 1280-1370К, с использованием, например, сфокусированного излучения СО2-лазера мощностью 12 Вт путем сканирования лучом диаметром 10-15 мкм поверхности детектора со скоростью 0,1 м/с. Технический результат – повышение надежности, точности и достоверности оценки доз облучения хрусталика глаза, кожных покровов открытых участков тела. 7 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области лазерной техники. Способ создания лазерно-активных центров окраски в α-Al2O3 заключается в том, что простые центры окраски - кислородные вакансии, захватившие один или два электрона (F- и F+-центры), созданные при выращивании или в результате термохимической обработки исходных кристаллов, преобразуются в сложные, оптически активные в инфракрасной области спектра, F2+ и F22+-центры. Преобразование осуществляется посредством термообработки при фиксированной температуре в интервале 800-900°С в течение 1-10 мин с одновременным облучением кристалла полным спектром ртутного источника света с плотностью мощности в интервале 10-2-1,0 Вт/см2. Технический результат заключается в исключении применения радиационных технологий при создании лазерно-активных центров в кристаллах α-Al2O3. 1 табл., 11 ил.

Изобретение относится к области низкотемпературной термолюминесцентной дозиметрии рентгеновского и гамма-излучения. Термолюминофор для низкотемпературной ТСЛ-дозиметрии на основе алона Al5O6N, синтезированного из химически чистого α-Al2O3 и нитрида алюминия, содержащего ряд примесей, при этом имеет состав, в котором содержание основного вещества Al5O6N - не менее 96%; причем в исходном AlN содержание N2 - не менее 33.0 мас. %, О2 - не более 1.2%, Fe - не более 0,08-0.1%, С - не более 0.05%, а содержание европия Eu2+ в исходном AlN и в конечном продукте алоне Al5O6N составляет 0,3-0,5 ат % (отн. Al). Технический результат – определение дозозатрат элементов и устройств, изготовленных на основе высокотемпературных сверхпроводников, работающих в полях ионизирующих излучений при температуре жидкого азота, а также других устройств, функционирующих при сверхнизких температурах. 2 ил.

Изобретение относится к области низкотемпературной дозиметрии рентгеновского, а также смешанного электронного и гамма-излучения с использованием термолюминесцентных датчиков – термолюминофоров. Предложен термолюминофор на основе фторида натрия, который дополнительно содержит фторид лития и фторид скандия и имеет состав (мол.% по шихте): фторид скандия 0,08-0,75, фторид лития 0,001-0,05, фторид натрия остальное. Технический результат: предлагаемый термолюминофор обладает достаточно интенсивным рабочим пиком ТСЛ при 24 K как при воздействии рентгеновского, так и смешанного электронного и гамма-излучения, что требует энергетически менее затратного нагрева термолюминофора, всего до 50-55 K, и сокращает время считывания дозиметрической информации. Предложенный термолюминофор обладает спектром свечения, доминирующим в оранжево-красной области, что позволяет применять его для создания дозиметрических систем космического базирования с компактной фотодиодной PIN-регистрацией. 1 ил., 3 пр.

Изобретение относится к области гелиоэнергетики и касается конструкции фотоэлектрического модуля космического базирования. Фотоэлектрический модуль включает в себя нижнее защитное покрытие, на котором с помощью полимерной пленки закреплены кремниевые солнечные элементы с антиотражающим покрытием, и расположенное над лицевой поверхностью солнечных элементов верхнее защитное покрытие, которое скреплено с солнечными элементами промежуточной пленкой из оптически прозрачного полимерного материала. Со стороны лицевой поверхности солнечных элементов и в антиотражающее просветляющее покрытие солнечных элементов введен оптически активный прозрачный полимер, содержащий антистоксовый люминофор. Верхнее и нижнее защитные покрытия выполнены из оптически активных кислородосодержащих материалов типа монокристаллического α-Al2O3-x, способных к люминесценции, накоплению и высвечиванию светосумм при естественной оптической и термической стимуляции. Технический результат заключается в повышении эффективности при работе в цикле солнечный свет - темнота. 1 з.п. ф-лы. 9 ил. 1 табл.

Изобретение относится к способу измерения накопленных высоких и сверхвысоких доз и мощностей доз ионизирующих излучений термолюминесцентными (ТЛ) детекторами на основе оксида алюминия. Способ измерения высоких и сверхвысоких доз, накопленных в термолюминесцентных детекторах ионизирующих излучений на основе оксида алюминия, в том числе при облучении в условиях повышенных температур окружающей среды, включает нагрев облученного детектора и регистрацию интенсивности термостимулированной люминесценции, при этом интенсивность термостимулированной люминесценции измеряют в температурном интервале 430-630°C, а спектральную область регистрируемой интенсивности термолюминесценции ограничивают диапазоном 250-350 нм, при этом величину поглощенной дозы детектором, облученном при температуре окружающей среды до 430°C, рассчитывают интегральным методом, а при облучении детектора в температурном интервале 430-530°C - пиковым методом. Технический результат - повышение точности, надежности и достоверности измерений. 7 ил.

Изобретение относится к способу обработки рабочих веществ твердотельных детекторов ионизирующих излучений, основанных на явлениях термостимулированной люминесценции (ТЛ) и оптически стимулированной люминесценции (ОСЛ). Способ термолучевой обработки вещества твердотельного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия включает этапы, на которых осуществляют нагрев материала и облучение его в нагретом состоянии фотонным излучением мощностью 1-10 мВт в диапазоне длин волн 200-220 нм в течение заданного времени, при этом облучение материала в нагретом состоянии фотонным излучением с указанными параметрами проводят в два этапа, сначала при температуре 550-590°C в течение 1-3 минуты, после чего повторяют ее при температуре 370-400°C в течение 4-6 минут. Технический результат - повышение точности, надежности и достоверности регистрации дозиметрических измерений. 1 табл., 8 ил.

 


Наверх