Патенты автора Ятманов Александр Павлович (RU)
ВСТРАИВАЕМАЯ С СБИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНИ ПАМЯТЬ "MRAM" И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) // 2532589
Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к схемам матриц ячеек памяти «MRAM», использующей технологию магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращения. Техническим результатом изобретения является интеграция технологии формирования матрицы памяти «MRAM» с улучшенным магнитным гистерезисом магнитных элементов в структуру СБИС технологии «комплементарный-металл-оксид-полупроводник/кремний-на-изоляторе» (КМОП/КНИ). В способе изготовления встраиваемой в базовый технологический маршрут КМОП/КНИ памяти «MRAM» с целью формирования исходной планарной гетероструктуры СБИС технологии КМОП/КНИ с изоляцией «STI», используемой в качестве подложки, и последующего формирования на ней матрицы памяти «MRAM» последовательно формируют в приборном слое Si гетероструктуры КНИ области n- и p-карманов, изоляцию «STI», n+- и p+-поликремниевые затворы для n- и p-канальных транзисторов соответственно, области высокоомных стоков и истоков МОП транзисторов, p+-стоки, доходящие до дна приборного слоя, а также слои самосовмещенного силицида титана и многоуровневой металлизации, затем на сформированной структуре СБИС после третьего слоя металлизации формируют матрицу памяти «MRAM», включающую свободно перемагничивающийся ферромагнитный слой («СС»), ферромагнитный слой с фиксированной намагниченностью («ФС») и туннельный изолирующий слой («ИС»), расположенный между «СС» и «ФС», затем формируют четвертый уровень металлизации и защитный диэлектрический слой. 3 н. и 33 з.п. ф-лы, 56 ил.
