Патенты автора Черных Алексей Владимирович (RU)
Изобретение относится к экспериментальной ядерной технике. Область использования - технология поверхностно-барьерных детекторов ядерных излучений, в частности определение энергетического эквивалента толщины мертвого слоя и оптимизация его толщины с учетом технологических режимов формирования барьера Шоттки. Техническим результатом настоящего изобретения является обеспечение возможности определения энергетического эквивалента толщины мертвого слоя поверхностно-барьерного детектора с учетом технологических особенностей формирования барьера Шоттки, а также возможности сопоставления режимов формирования контакта и вклада мертвого слоя в полное энергетическое разрешение детектора. Способ определения энергетического эквивалента толщины мертвого слоя поверхностно-барьерного детектора включает облучение коллимированным пучком тяжелых заряженных частиц двух одинаковых тестовых детекторов, представляющих собой p-i-n диоды с открытым входным окном и полностью обедненным р-слоем, изготовленных из полупроводникового материала, на котором создается поверхностно-барьерный детектор, при этом на входное окно одного из тестовых детекторов нанесена металлизация исследуемого барьера Шоттки, последующее измерение амплитудных спектров тестовых детекторов, энергетическую калибровку амплитудных спектров и обработку результатов измерений с вычислением энергетического разрешения FWHM для каждого из тестовых детекторов и вычисление энергетического эквивалента толщины мертвого слоя FWHMБШ, создаваемого металлизацией исследуемого барьера Шоттки, согласно формуле:
FWHM2 - энергетическое разрешение тестового детектора с нанесенной на входное окно системой металлов исследуемого барьера Шоттки, кэВ;FWHM1 - энергетическое разрешение тестового детектора, кэВ. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области технологии изготовления изделий микроэлектроники, в частности к контролю контактных сопротивлений омических контактов к полупроводниковым слоям на технологических этапах производства. Сущность: способ измерения переходного контактного сопротивления, заключающийся в измерении сопротивления току, протекающему под контактом, расположенным между двумя крайними, через которые подается ток и с которых снимается напряжение, отличающийся тем, что используется набор полосковых омических контактов и измеряется их сопротивление в зависимости от длины полосков, при этом измерение слоевого сопротивления металлизации и измерение слоевого сопротивления полупроводника вне контакта производится отдельными методами. Технический результат заключается в измерении ρc с учетом слоевого сопротивления полупроводника под омическим контактом Rsk, упрощенной технологии изготовления тестовых структур, не требующей допыления толстой металлизации на короткие электроды, а также создании контактных площадок для измерения потенциала на них. 3 ил.
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на которой последовательно размещены: буферный слой из AlN, буферный слой из GaN, слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, сверхрешетка из AlXGa1-XN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlXGa1-XN, спейсер из твердого раствора AlXGa1-XN, сглаживающий слой из GaN, канал из твердого раствора InXGa1-XN, и в интерфейсе InXGa1-XN/AlGaN гетероструктуры образован двумерный электронный газ (ДЭГ) высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора. Поверх твердого раствора InXGa1-XN размещен химически устойчивый сглаживающий слой из GaN, поверх которого нанесен слой диэлектрика из двуокиси гафния. Поверх диэлектрика размещены металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора. При этом емкостный элемент устройства выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек (DX), а канал выполнен упруго-напряженным псевдоморфным с концентрацией InGa 15-25%. Изобретение обеспечивает повышение надежности устройства, эффективности подавления токового коллапса, повышение скорости переключения и уровня выходной мощности, а также ослабление процесса деградации в гетероструктуре. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей, эффективность подавления токового коллапса, повышение скорости переключения и уровня выходной мощности, ослабление процесса деградации в гетероструктуре. Технический результат достигается тем, что ограничитель мощности содержит электроды, емкостные элементы. Ограничитель мощности является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостной элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, ограничитель мощности включает подложку из изолирующего карбида кремния, на которой последовательно размещены: буферный слой из GaN, сглаживающий буферный слой из GaN, слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, сверхрешетка из AlXGa1-XN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlXGa1-XN, спейсер из твердого раствора AlXGa1-XN, сглаживающий слой из GaN, канал из твердого раствора InXGa1-XN, и в интерфейсе InXGa1-XN/AlGaN гетероструктуры образован двумерный электронный газ (ДЭГ) высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора. Поверх твердого раствора InXGa1-XN размещен химически устойчивый сглаживающий слой из GaN, поверх которого нанесен слой диэлектрика из двуокиси гафния. Поверх диэлектрика размещены металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора. При этом емкостной элемент устройства выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек (DX), а канал выполнен упруго-напряженным псевдоморфным с концентрацией InGa 15-25%. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
ДЕТЕКТОР БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ // 2532647
Изобретение относится к полупроводниковым детекторам излучений. Детектор быстрых нейтронов содержит конвертор быстрых нейтронов и поверхностно-барьерный GaAs сенсор, регистрирующий протоны отдачи, при этом сенсор выполнен на подложке арсенида галлия n-типа проводимости, на рабочей поверхности которого выращен эпитаксиальный слой GaAs высокой чистоты толщиной от 10 до 80 мкм, причем и где d - толщина эпитаксиального слоя GaAs высокой чистоты, εп - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника, ε0 - электрическая постоянная, φк - контактная разность потенциалов, q - заряд электрона, ND - уровень легирования полупроводника, µе - подвижность электронов, τе - время жизни электронов, со сформированным на нем платиновым барьером Шоттки толщиной 500 Å, на обратной стороне подложки сформирован омический контакт. Технический результат - повышение эффективности сбора заряда детектора, снижение чувствительности к гамма-фону. 1 ил.
