Патенты автора Черных Сергей Владимирович (RU)
Изобретение относится к экспериментальной ядерной технике. Область использования - технология поверхностно-барьерных детекторов ядерных излучений, в частности определение энергетического эквивалента толщины мертвого слоя и оптимизация его толщины с учетом технологических режимов формирования барьера Шоттки. Техническим результатом настоящего изобретения является обеспечение возможности определения энергетического эквивалента толщины мертвого слоя поверхностно-барьерного детектора с учетом технологических особенностей формирования барьера Шоттки, а также возможности сопоставления режимов формирования контакта и вклада мертвого слоя в полное энергетическое разрешение детектора. Способ определения энергетического эквивалента толщины мертвого слоя поверхностно-барьерного детектора включает облучение коллимированным пучком тяжелых заряженных частиц двух одинаковых тестовых детекторов, представляющих собой p-i-n диоды с открытым входным окном и полностью обедненным р-слоем, изготовленных из полупроводникового материала, на котором создается поверхностно-барьерный детектор, при этом на входное окно одного из тестовых детекторов нанесена металлизация исследуемого барьера Шоттки, последующее измерение амплитудных спектров тестовых детекторов, энергетическую калибровку амплитудных спектров и обработку результатов измерений с вычислением энергетического разрешения FWHM для каждого из тестовых детекторов и вычисление энергетического эквивалента толщины мертвого слоя FWHMБШ, создаваемого металлизацией исследуемого барьера Шоттки, согласно формуле:
FWHM2 - энергетическое разрешение тестового детектора с нанесенной на входное окно системой металлов исследуемого барьера Шоттки, кэВ;FWHM1 - энергетическое разрешение тестового детектора, кэВ. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области технологии изготовления изделий микроэлектроники, в частности к контролю контактных сопротивлений омических контактов к полупроводниковым слоям на технологических этапах производства. Сущность: способ измерения переходного контактного сопротивления, заключающийся в измерении сопротивления току, протекающему под контактом, расположенным между двумя крайними, через которые подается ток и с которых снимается напряжение, отличающийся тем, что используется набор полосковых омических контактов и измеряется их сопротивление в зависимости от длины полосков, при этом измерение слоевого сопротивления металлизации и измерение слоевого сопротивления полупроводника вне контакта производится отдельными методами. Технический результат заключается в измерении ρc с учетом слоевого сопротивления полупроводника под омическим контактом Rsk, упрощенной технологии изготовления тестовых структур, не требующей допыления толстой металлизации на короткие электроды, а также создании контактных площадок для измерения потенциала на них. 3 ил.
ДЕТЕКТОР БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ // 2532647
Изобретение относится к полупроводниковым детекторам излучений. Детектор быстрых нейтронов содержит конвертор быстрых нейтронов и поверхностно-барьерный GaAs сенсор, регистрирующий протоны отдачи, при этом сенсор выполнен на подложке арсенида галлия n-типа проводимости, на рабочей поверхности которого выращен эпитаксиальный слой GaAs высокой чистоты толщиной от 10 до 80 мкм, причем и где d - толщина эпитаксиального слоя GaAs высокой чистоты, εп - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника, ε0 - электрическая постоянная, φк - контактная разность потенциалов, q - заряд электрона, ND - уровень легирования полупроводника, µе - подвижность электронов, τе - время жизни электронов, со сформированным на нем платиновым барьером Шоттки толщиной 500 Å, на обратной стороне подложки сформирован омический контакт. Технический результат - повышение эффективности сбора заряда детектора, снижение чувствительности к гамма-фону. 1 ил.
