Патенты автора Захвалинский Василий Сергеевич (RU)
Резистивный датчик влажности воздуха // 2788822
Использование: для измерения влажности воздуха. Сущность изобретения заключается в том, что резистивный датчик влажности включает влагопоглощающий слой, токопроводящие обкладки, соединенные в последовательную электрическую цепь с источником тока и измерительным устройством, при этом влагопоглощающий слой выполнен в виде бруска из композита цитрогипса (CaSO4⋅2H2O)0.95 - (CuSO4⋅5H2O)0.05, размещенного на диэлектрической подложке; токопроводящие обкладки, нанесенные с противоположных сторон бруска и выполненные с возможностью соединения в последовательную электрическую цепь с источником переменного тока и измерительным устройством посредством контактных проводов, представляют собой тонкие пластины толщиной не более 0,5 мм. Технический результат: обеспечение возможности создания простого по конструкции высокочувствительного датчика влажности с коротким временем срабатывания. 2 ил.
Изобретение относится к установке магнетронного напыления тонких пленок из карбидов или нитридов кремния на подложку, выполненную из полупроводникового материала, керамики или стекла. Установка содержит вакуумную камеру, размещенные в ней магнетрон, штатив и закрепленное на нем устройство для оптического нагрева подложки и регулирования ее температуры, которое содержит анод-подложкодержатель для размещения подложки, держатель с установленными на нем по меньшей мере двумя лампами со встроенными отражателями, регулятор тока накаливания и температуры подложки. Держатель закреплен на штативе, упомянутые лампы соединены с регулятором тока накаливания и температуры подложки и расположены с ее тыльной стороны. Анод-подложкодержатель содержит сетку из тонких молибденовых нитей для размещения подложки лицевой стороной к магнетрону. 7 ил., 1 табл., 4 пр.
Изобретение может быть использовано в космических летательных аппаратах и автономных системах, как высокопроизводительное экологически чистое средство получения электрической энергии в различных областях промышленности. Однопереходной солнечный элемент включает р-кремниевую подложку из кремния p-типа Si(100) предварительно обработанную кислотой HF. На верхней стороне подложки расположен слой пленки n-типа толщиной 4-5 нм из аморфного нитрида кремния смешанного с нитридом кремния нанокристаллической структуры, нанесенный методом магнетронного напыления в аргоне из твердотельной мишени Si3N4. Электрические контакты сформированы методом магнетронного напыления. При этом, на верхней стороне элемента контакты выполнены из Ag в виде гребенки. А электрический тыльный контакт, расположенный на обратной стороне подложки Si(100), выполнен из Ag либо Cu. Изобретение обеспечивает эффективность 7.41% без дополнительных просветляющих, защитных или каких либо других слоев и без применения концентраторов солнечного излучения. 9 ил.
ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА // 2532857
Изобретение относится к полупроводниковым структурам, используемым для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Фотовольтаическая однопереходная структура представляет собой двухслойный компонент p-n гетероперехода a-SiC/c-Si. Слой аморфного карбида кремния n-типа проводимости с толщиной пленки 6-20 нм нанесен на предварительно подготовленную поверхность монокристаллической кремниевой подложки p-типа проводимости путем нереактивного магнетронного распыления в аргоне из твердотельной мишени SiC. Верхний электрод выполнен в виде контактной гребенки из серебра или меди и расположен непосредственно на слое a-SiC. Нижний электрод из серебра или меди расположен на обратной стороне подложки из монокристаллического кремния. Фотовольтаическая структура с использованием полированной, неразвитой поверхности подложки из монокристаллического кремния и без применения концентраторов солнечного излучения демонстрирует эффективность 7,83%. 4 ил., 1 пр.
