Патенты автора ШВАЙЦЕР Хайнц (DE)
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА // 2532896
Изобретение относится к интегральным оптоэлектронным устройствам, содержащим светоизлучающие полевые транзисторы. Описано оптоэлектронное устройство, содержащее светоизлучающий полевой транзистор (LEFET) с активным слоем из органического полупроводника и волноводом, сформированным в канале светоизлучающего полевого транзистора. Активный слой находится поверх волновода и истокового и стокового электродов. Гребень волновода содержит материал, имеющий более высокий показатель преломления, чем органический полупроводник. На светоизлучающий полевой транзистор подается смещение для управления положением рекомбинации носителей заряда противоположной полярности в канале, гребень выравнивается с положением рекомбинации, так что свет управляемо вводится в гребень волновода. Технический результат заключается в повышении эффективности ввода света в волновод. 5 н. и 25 з.п. ф-лы, 14 ил.
