Патенты автора Колесникова Ольга Юрьевна (RU)
Изобретение относится к области температурных измерений и касается способа измерения температуры локальных участков поверхности расплава в тигле при выращивании методом Чохральского монокристаллов веществ с температурами плавления выше 650°C. Способ включает в себя фотографирование цифровым цветным аппаратом через смотровое окно камеры ростовой установки видимой поверхности расплава с кристаллом, перенесение файла с изображением на компьютер, расчет на основании закона Стефана-Больцмана для интегральной светимости АЧТ температуры по яркости пикселей трех цветовых RGB каналов, выставление в окне программы известного значения температуры плавления выращиваемого кристалла, калибровку программы, наведение курсора на интересующую точку или на участок с выбранными малыми размерами 3×3, 5×5 или 7×7 пикселей, в пределах которого проводится усреднение температуры, считывание значения температуры в окне пользовательского интерфейса. Калибровка программы включает в себя наведение курсора на точку в изображении линии соприкосновения кристалла с расплавом, температура в которой принимается за температуру плавления. Технический результат заключается в повышении точности измерений и улучшении структурного качества кристаллов. 4 ил.
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЕЩЕСТВ, ИМЕЮЩИХ ПЛОТНОСТЬ, ПРЕВЫШАЮЩУЮ ПЛОТНОСТЬ ИХ РАСПЛАВА // 2600381
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов из расплава способом Чохральского. Выращивание кристалла радиусом r сначала осуществляют способом Чохральского путем вытягивания из неподвижного тигля радиусом R1, таким, что где ρтв - плотность кристалла, ρж - плотность расплава. Готовый кристалл отрывают от расплава и охлаждают до комнатной температуры в ростовой камере. Затем открывают ростовую камеру, извлекают из нагревателя тигель и заменяют на тигель меньшего радиуса R2, такого, что после чего закрывают камеру, поднимают температуру до температуры плавления, опускают кристалл до соприкосновения с расплавом и вновь выращивают кристалл путем его постоянного перемещения вниз. Техническим результатом является улучшение структурного совершенства выращиваемых кристаллов за счет снижения в них остаточных механических напряжений и уменьшения плотности дислокаций. 6 ил., 2 пр.
Изобретение относится к технологии получения оптических изделий из германия путем выращивания монокристаллов германия из расплава в форме профильных изделий в виде выпукло-вогнутых заготовок, которые после обработки могут быть использованы для изготовления линз инфракрасного диапазона. Выращивание монокристаллов германия осуществляют на затравочный кристалл с использованием помещенного в тигель 2 вертикального формообразующего элемента 1, имеющего отверстия 6 в месте примыкания его нижней части к тиглю 2 для удаления образующегося при кристаллизации германия избыточного расплава, при этом в проточках вертикального формообразующего элемента 1 диаметром d размещены горизонтальные верхний и нижний формообразующие, имеющие центральные отверстия, элементы 3 выпукло-вогнутой формы с диаметрами, соответственно, d1 и d2, при этом d2>d1>d. Формообразователи придают выращенному монокристаллу форму заготовки линзы. Изобретение позволяет серийно получать монокристаллы германия (в том числе крупногабаритные) с различной формой сечения с минимизированным расходом материала. 1 ил., 2 пр.
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ // 2565701
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов германия из расплава методом Чохральского для изготовления оптических и акустооптических элементов инфракрасного диапазона длин волн, применяемых в качестве материала для детекторов ионизирующих излучений и для изготовления подложек фотоэлектрических преобразователей. В процессе вытягивания линейное перемещение кристалла ведут со скоростями 0,6-0,9 мм/мин в циклическом режиме, при этом вытягивают монокристалл из расплава вверх, затем опускают монокристалл в расплав. Соотношение линейного перемещения вверх - вниз составляет 2:1. Величину абсолютного перемещения вверх h за один цикл рассчитывают согласно математической формуле отношений диаметра тигля к диаметру кристалла в мм: h меньше или равно 1,5Dтигля/Dкристалла. Способ позволяет получать кристаллы германия с низкой плотностью дислокаций - до 250 см-2. 4 пр.
Изобретение относится к области измерения оптических характеристик материалов, определяющих световые потери в них, связанные как с поглощением, так и рассеянием. Способ состоит в том, что измерения коэффициента пропускания света производят для двух образцов с различной толщиной, изготовленных из одного и того же исследуемого материала. Измеренные значения коэффициентов пропускания, данные о толщинах и диаметрах образцов, значение показателя преломления и определенная экспериментально индикатриса рассеяния (зависимость интенсивности рассеяния от угла рассеяния) используются для расчета вероятностей поглощения и рассеяния фотонов на единицу пути с помощью математического моделирования. При моделировании для обоих образцов находятся зависимости вероятностей рассеяния фотонов от вероятностей поглощения, которые дают измеренные экспериментально коэффициенты пропускания. Поскольку оба образца с разными толщинами вдоль луча изготовлены из одного и того же материала, обе модельные зависимости должны пересекаться в точке, в которой обе вероятности не равны нулю, а значения вероятностей в этой точке должны являться истинными вероятностями поглощения и рассеяния фотонов на единицу пути в исследуемом материале, одинаковыми для обоих образцов. Изобретение позволяет с максимально возможной точностью определять вероятности поглощения и рассеяния фотонов, что позволяет правильно производить классификацию и сертификацию партий материалов, а также подбор материала с необходимыми поглощающими и рассеивающими свойствами с целью повышения воспроизводимости характеристик соответствующих оптических, оптоэлектронных и лазерных устройств. 9 ил.
