Патенты автора Пухов Антон Алексеевич (RU)
Заявленное изобретение относится к способу сборки типовых стековых гибридных модулей, где акцент сделан на одновременной сборке компонентов поверхностного монтажа и стековых сборок из кристаллов без взаимного сдвига, а именно прецизионного монтажа чип-компонентов и компактно смонтированных в стеки кристаллов интегральных схем (ИС), с установкой кристалла на кристалл через кремниевую прокладку и пленочного адгезива, и может быть использовано в ракетно-космическом приборостроении. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение плотности сборки, за счет выбора оптимального размещения кристаллов без взаимного сдвига и чип-компонентов друг относительно друга и подбора металлокерамического корпуса, повышения точности и качества монтажа многокристальных сборок, микросварки. 4 ил.
Изобретение может быть использовано для соединения термозвуковой микросваркой многокристальных модулей полупроводниковых микросхем с высокой плотностью монтажа. Сварку осуществляют капиллярным электродом с проволокой, расплавляемой посредством подачи импульсов тока обратной полярности. Формируют шарик в первой точке соединения. Обрывают проволоку и образуют шарик во второй точке соединения и затем вытягивают перемычку до первой точки соединения. Сплющивают шарик первой точки соединения с образованием клина и обрывают проволоку. Используют капиллярный электрод с коническим наконечником, диаметр торца которого и угол конуса выбирают из условия получения высоты перемычки, исключающей касание электродом соседней перемычки. Подготовку поверхности контактной площадки осуществляют путем очистки спиртом и последующей очистки в плазме в течение 700-800 с в среде, содержащей 20% Ar и 80% O2. Техническим результатом изобретения является повышение плотности монтажа и увеличение прочности соединения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.
Изобретение относится к способам, предназначенным для позиционирования, размещения и монтажа частей интегральной схемы в корпусе, а именно прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл, и может быть использовано в ракетно-космическом и наземном приборостроении. Технический результат – повышение точности и качества монтажа многокристальных сборок. Это достигается тем, что в способе прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем с установкой кристалла на кристалл последовательно позиционируют полупроводниковые кристаллы ручным методом с помощью графических цифровых линеек. Обеспечивается повышение точности и качества монтажа многокристальных сборок. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники и может быть использовано для плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла. В способе плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла производят предварительную протирку изделий спиртом со всех сторон, включая протирку всех торцов подложки, производят предварительный обдув изделий нейтральным газом, помещают изделия в камеру плазменной установки вместе с подобным образцом - свидетелем, производят очистку изделий в среде доминирования кислорода при мощности 500-600 Вт, давлении процесса 800-900 мТорр в течение 10-20 минут, проверяют качество обработки поверхности по свидетелю методом краевого угла смачивания по окончании очистки. Изобретение обеспечивает повышение качества очистки подложек из поликора и ситалла перед напылением, в частности удаление оксидных пленок, органики, сокращение времени и экономических затрат на выполнение операций очистки. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Заявленное изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники, а также может использоваться в других областях техники для очистки, активации и осветления различных изделий с серебряным покрытием. Способ очистки, активации и осветления серебряных покрытий в газоразрядной плазме характеризуется тем, что производят предварительный обдув изделий нейтральным газом; затем производят предварительную протирку изделий ацетоном и спиртом; помещают изделия в камеру плазменной установки вместе с подобным образцом с серебряным покрытием - свидетелем; производят очистку изделий в среде доминирования азота при мощности 500-600 Вт, давлении процесса 50-150 мТорр в течение 600-1200 секунд; проверяют по окончании очистки качество обработки поверхности по свидетелю методом краевого угла смачивания; проводят внешний осмотр изделий. Изготавливаемые серебреные изделия широко используются в ракетно-космическом и наземном приборостроении, где предъявляются высокие требования по чистоте. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области радиоэлектронной техники, в частности к способу исправления дефектов и проведения ремонта узлов многослойных печатных плат (МПП), и может быть использовано при доработке разводки проводников МПП (разрыв и прокладка новых цепей). Технический результат - повышение качества и надежности за счет возможности исправления дефектов узлов многослойных печатных плат с высокоинтегрированной элементной базой методами микроэлектроники. Достигается путем формирования и укладки дополнительных микроперемычек в микротрассы, что повышает качество и надежность многослойных печатных плат, а также снижает трудоемкость и затраты на повторную закупку ЭРИ и повторное изготовление МПП. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
