Патенты автора Остапенко Константин Александрович (RU)
Изобретение относится к области выращивания из расплава профилированных кристаллов тугоплавких соединений методом Степанова, например лейкосапфира, рубина, алюмоиттриевого граната, которые могут быть использованы в приборостроении, машиностроении, термометрии, химической промышленности. Способ включает формирование столбика расплава 5 между затравкой 7 и верхним торцом формообразователя, который снабжен вертикальным кольцевым питающим капилляром 3 постоянного сечения и, по крайней мере, одним вертикальным каналом 4 малого диаметра, выполненным в верхней части формообразователя. В процессе выращивания кристалла 6 расстояние от верхнего торца формообразователя до уровня расплава Нэфф поддерживают не более 0,8h, а питающий капилляр 3 выполняют длиной L, определяемой из соотношения 2,5h>L>h, где h - высота подъема расплава в капилляре. Технический результат - стабильность процесса выращивания профилированных кристаллов длиной до 500 мм и более с продольными каналами малого диаметра. 1 ил.
