Патенты автора Ермачихин Александр Валерьевич (RU)
Использование: для исследования нелинейного спинового резонанса в объемных, тонкопленочных и двумерных полупроводниковых наноструктурах. Сущность изобретения заключается в том, что для исследования нелинейного спинового резонанса образец охлаждают, воздействуют на него изменяющимся постоянным и слабым переменным магнитным полем, изменяющимся со звуковой частотой Ω, воздействуют на образец двумя когерентными излучениями: мощным излучением накачки и слабым тестовым излучением, имеющими правую круговую поляризацию, регистрируют сигнал, пропорциональный второй производной мощности тестового излучения на частоте 2Ω, определяют резонансное магнитное поле, исследуют форму кривой нелинейного спинового резонанса, совмещенные когерентные излучения направляют параллельно постоянному магнитному полю, определяют g-фактор исследуемого полупроводника. Технический результат: обеспечение возможности определения параметров энергетических зон в тонкопленочных и двумерных полупроводниковых наноструктурах. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Группа изобретений относится к области электронной техники, микро- и наноэлектроники и может быть использована для локального определения концентрации свободных носителей заряда в отдельно взятых полупроводниковых нанообъектах и наноструктурах, а также для контроля качества материалов, применяемых в полупроводниковом приборостроении. Способ определения концентрации носителей заряда в полупроводниках заключается в пропускании через переход, смещенный как в обратном, так и в прямом направлениях, высокочастотного тока, получении информации о концентрации носителей заряда на глубине области обеднения из произведения амплитуды тока второй гармоники и напряжения первой гармоники, обратно пропорционального концентрации носителей заряда, обнаружении исследуемого объекта путем сканирования в атомно-силовом микроскопе с проводящим зондом, формировании барьерного контакта к исследуемому нанообъекту зондом микроскопа. Устройство, реализующее способ, содержит 28 элементов. Изобретение обеспечивает локальное определение концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых микро- и наноструктурах. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
