Патенты автора Захарова Патима Расуловна (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает уменьшение температуры посадки кристалла на основание корпуса, повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и применение недорогостоящих материалов при сохранении стабильности процесса. В способе формирования контакта к коллекторной области транзистора при посадке кристалла транзистора на основание корпуса полупроводникового прибора на посадочную поверхность кремниевой пластины напыляют последовательно в едином технологическом цикле два металла: титан-медь. Разделяют пластину на кристаллы и производят пайку кристаллов к основанию корпуса при температуре 250-280°C в течение 3-5 сек. Данное сочетание напыляемых металлов обеспечивает получение надежного контакта кристалла с основанием корпуса, 100% распределение припоя по поверхности кристалла, отсутствие пор в припое, улучшение выходных характеристик прибора.

 


Наверх