Патенты автора Негин Виктор Аркадьевич (RU)
Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии. Способ изготовления магниторезистивного датчика заключается в формировании на изолирующей подложке моста Уинстона путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры с последующим формированием магниторезистивных полосок методом фотолитографического травления и напылении первого проводящего слоя с последующим формированием перемычек, проводников и контактных площадок методом фотолитографического травления, нанесении первого изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении второго проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «set/reset» методом фотолитографического травления, нанесении второго изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении третьего проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «offset» методом фотолитографического травления, нанесении конструктивной защиты с последующим вскрытием контактных площадок первого проводящего слоя,при этом проводящие слои получают путем вакуумного напыления структуры Cr-Cu-Cr, которую травят послойно и селективно, а на контактных площадках, находящихся на первом проводящем слое, дополнительно формируют пленку Al путем его напыления на датчик после нанесения конструктивной защиты с последующим фотолитографическим травлением. Изобретения способа лбеспечивает повышение технических характеристик: повышение удельной чувствительности, уменьшение разбаланса и снижение стоимости датчика. 3 ил.
