Патенты автора Донцов Алексей Игоревич (RU)
Изобретение относится к технологии создания селективных мембран, функционирующих за счет избирательной диффузии водорода сквозь тонкую пленку палладия или его сплава, и может быть использовано в устройствах глубокой очистки водорода от сопутствующих примесей, сепарации водорода из водородсодержащих примесей, например в микрореакторах. Способ изготовления композиционной водородопроницаемой мембраны, содержащей тонкую селективную пленку из сплава на основе палладия, включает нанесение на очищенную пористую подложку тонкой селективной пленки из сплава на основе палладия магнетронным распылением. В качестве пористой подложки используют металлическую сетку саржевого плетения с нанесенным на упомянутую сетку пористым высокодисперсным слоем керамики с обеспечением выступающих островков металлических нитей указанной сетки над пористым высокодисперсным слоем керамики. В частных случаях осуществления изобретения островки металлических нитей указанной сетки выполняют сферическими. Нанесение упомянутой тонкой селективной пленки проводят при температуре, обеспечивающей диффузионное соединение с островками металлических нитей указанной сетки. Между упомянутой металлической сеткой с пористым высокодисперсным слоем керамики и упомянутой тонкой селективной пленкой наносят промежуточный металлический слой. Обеспечивается создание мембран, обладающих высокой надежностью и высокой селективной газопроницаемостью. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к созданию селективных мембран, функционирующих за счет избирательной диффузии газов сквозь тонкую пленку металлов или их сплавов. Способ включает нанесение на двухслойную керамическую подложку со сквозной пористостью селективной пленки металла или его сплава методом магнетронного распыления мишени и конденсации в вакууме. В качестве подложки используют керамику из оксида алюминия, имеющую два уровня сквозной пористости. Первый слой подложки содержит сквозные поры с диаметром от 5 до 5000 мкм, второй слой содержит плотную систему пор с диаметром от 5 до 100 нм. Техническим результатом изобретения является получение мембран, обладающих высокой селективной водородопроницаемостью, производительностью, надежностью. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 пр.
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКОЙ ФОЛЬГИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА Pd-Cu С КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКОЙ ТИПА CsCi // 2535843
Изобретение относится к технологии создания селективных газовых мембран, функционирующих за счет избирательной диффузии атомов газа (водорода) сквозь тонкую металлическую пленку (из палладия или сплавов на его основе), которые используются в устройствах глубокой очистки водорода от сопутствующих примесей, сепарации водорода из водородсодержащих смесей газов, в микрореакторах. Способ формирования тонкой фольги твердого раствора Pd-Cu с кристаллической решеткой типа CsCl включает магнетронное распыление мишени состава, близкого к Pd-40% Cu, в среде Ar 10-1 Па на термически оксидированные полированные пластины монокристаллического кремния и отделение полученной фольги от подложки, при этом температура подложки составляет 300-700 К, а отделенную тонкую фольгу дополнительно нагревают в вакууме не хуже 10-4 Па со скоростью 100 К/час до температуры 970 К и охлаждают со скоростью 100-200 К/час до комнатной температуры. Технический результат заключается в создании легковоспроизводимым и экономичным способом высокоэффективных мембран для глубокой очистки водорода, обладающих высокой селективной водородопроницаемостью и производительностью. 1 ил., 1 пр.
