Патенты автора Соловьев Виктор Васильевич (RU)
Изобретение относится к негативным фоторезистам для процессов формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с использованием «взрывной» фотолитографии. Предложена композиция негативного фоторезиста для «взрывной» фотолитографии, содержащая (мас.%) фенолоформальдегидную смолу (25,0-40,0), гексаметоксиметилмеламин (5,0-8,0), α-(4-тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид (1,0-2,0), органическое основание (0,04-0,20), фторалифатический эфир (0,1-2,0), Тинувин 1130 (1,0-10,0) и органические растворители (50,0-66,0). Технический результат – предложенная композиция фоторезиста позволяет получать четкий рисунок фотошаблона и увеличить отрицательный угол наклона маски фоторезиста, что улучшает качество проведения «взрывной» фотолитографии. 2 ил., 11 пр.
Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к модуляторам электромагнитного излучения, в частности, работающим в субтерагерцовом и терагерцовом диапазонах частот (100-10000 ГГц). Изобретение может использоваться в областях науки и техники, использующих данные диапазоны частот, в частности, при создании систем высокоскоростной беспроводной связи. Сущностью изобретения является устройство для амплитудной модуляции с частотами до 1 ТГц, работа которого основана на изменении коэффициента пропускания схемы на основе копланарного волновода, сформированной на подложке из полупроводникового материала. Коэффициент пропускания схемы изменяется вследствие изменения концентрации неравновесных носителей тока в полупроводниковом материале под действием импульсов управляющего источника оптического излучения видимого или ИК-диапазона. Технический результат заключается в увеличении частоты модуляции, а также уменьшении требуемой рабочей мощности управляющего источника оптического излучения. 3 ил.
Изобретение относится к области генерации электромагнитного излучения в субтерагерцовом и терагерцовом диапазонах частот. Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения включает источник лазерного излучения, электрическую цепь с источниками напряжения и импедансной нагрузкой, и оптически активный элемент. Оптический активный элемент оснащен дополнительным полевым транзистором, имеющим в подзатворной области слой полупроводника с коротким временем жизни фотовозбужденных носителей заряда, затвор из прозрачного или полупрозрачного материала, при этом электрическое смещение подается на сток и исток проводящего канала полевого транзистора. Технический результат заключается в увеличении выходной мощности. 2 ил.
