Патенты автора Денисов Сергей Иванович (RU)
ТРАНСПОРТНОЕ СРЕДСТВО НА ВОЗДУШНОЙ ПОДУШКЕ // 2557631
Изобретение относится к судостроению и касается амфибийных транспортных средств, выполненных с возможностью образования воздушной подушки. Транспортное средство на воздушной подушке (ТСВП) содержит основной корпус, две съемные бортовые секции, гибкое ограждение воздушной подушки, две расположенные побортно подъемно-движительные установки. Съемные бортовые секции выполнены с возможностью разъемного соединения с основным корпусом. Подъемно-движительные установки содержат воздушный движитель и нагнетатель воздушной подушки, расположенные на основном корпусе, гидропередачу, содержащую гидромотор воздушного движителя и гидромотор нагнетателя, трубопровод, выполненный с возможностью подачи через него в гидромоторы рабочей жидкости, и приводной двигатель с насосом, связанный с гидромоторами посредством трубопровода. При этом каждая бортовая секция содержит мотогондолу, вмещающую приводной двигатель с насосом соответствующей гидропередачи. Достигается увеличение полезной площади грузового отсека/кабины в основном корпусе, обеспечение высокой надежности в эксплуатации и повышенной маневренности судна. 10 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,9-1,06 мкм. Они предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 нс). Технический результат изобретения - снижение уровня темнового тока фоточувствительных площадок и охранного кольца, снижение значений коэффициентов взаимосвязи между фоточувствительными площадками многоэлементных ФД и увеличение процента выхода годных приборов, достигается тем, что после проведения высокотемпературных термодиффузионных процессов для создания структуры ФД: - термического окисления; - диффузии фосфора для создания областей n+-типа проводимости (фоточувствительных площадок и охранного кольца); - диффузии фосфора в тыльную поверхность пластины для генерирования загрязняющих примесей; - диффузии бора в тыльную поверхность пластины после стравливания геттерирующего n+-слоя для создания слоя p+-типа проводимости, перед операцией создания омических контактов проводят стравливание диэлектрической пленки с поверхности кремния и травление кремния на глубину менее одного микрона с последующим осаждением пленки двуокиси кремния одним из низкотемпературных методов при температуре, не превышающей 800°С. Затем производят формирование омических контактов известными методами.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,9-1,06 мкм. Согласно изобретению в способе изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов для снижения концентрации электрически активных центров, создаваемых загрязняющими примесями с низкими значениями коэффициентов диффузии, процесс термического окисления проводят при температуре не выше 950°C и последующие процессы диффузии (диффузия фосфора для создания n+-областей, геттерирование диффузионным n+-слоем, диффузия бора для создания p+-области) проводят при температурах, не превышающих указанную. В этом случае из-за резкого уменьшения коэффициентов диффузии примесей с понижением температуры процессов (экспоненциальная зависимость от температуры) в объем кремния проникают в основном примеси с высокими коэффициентами диффузии, которые затем эффективно удаляются с помощью процессов геттерирования. Благодаря этому снижается концентрация генерационно-рекомбинационных центров в i-области фотодиода, что приводит к снижению темнового тока ФД (не менее, чем на порядок) и увеличению процента выхода годных приборов.
