Фотогальваническое устройство, содержащее по меньшей мере один фотогальванический элемент (60), содержащий нанесенные на подложку (10) тонкие активные слои (15), при этом указанные активные слои не подвергают сегментированию, и по меньшей мере один статический преобразователь (50), связанный с каждым фотогальваническим элементом (60). Каждый фотогальванический элемент (60) выдает электрическую мощность с максимальным током (Icс) и номинальным напряжением (Vp), и каждый статический преобразователь (50) выполнен с возможностью передачи электрической мощности, производимой фотогальваническим элементом, на нагрузку (100), понижая передаваемый ток и повышая передаваемое напряжение. При этом активные слои фото гальванического элемента покрывают более 95% площади подложки, и указанный фотогальванический элемент способен выдавать ток, достигающий 150 A при номинальном напряжении ниже 1 В. Таким образом, на одной панели ограничивают и даже полностью исключают лазерное сегментирование фотогальванических элементов. За счет этого повышают производительность изготовления фотогальванического устройства и ограничивают мертвые площади. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 8 ил.
Группа изобретений относится к области фотогальванических генераторов. Технический результат заключается в повышении КПД преобразования генератора. Для этого предложен способ управления фотогальваническим генератором, содержащим по меньшей мере один фотогальванический элемент и множество n соединенных параллельно статических преобразователей, при этом каждый преобразователь соединен электрически по меньшей мере с одним фотогальваническим элементом, включающий этапы, на которых определяют мощность, генерируемую указанным по меньшей мере одним фотогальваническим элементом и сравнивают ее с пиковой мощностью; осуществляют сравнение с пороговыми значениями P1, P2,…, Pn-1; при этом пороги определяют как значения мощностей по существу в точке пересечения кривых КПД при возрастающем числе преобразователей для, по меньшей мере, одного фотогальванического элемента; подключают i преобразователей, если измеренное значение мощности находится в пределах от Pi-1 до Pi, или подключают все преобразователи, если измеренное значение мощности превышает Pn-1. 3 н. и 19 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 табл.