Патенты автора СУМИ Хирофуми (JP)
Изобретение относится к способу оценки времени уборки урожая и системе обработки информации для его осуществления. Способ содержит этапы, на которых получают информацию изображения организма, содержащую набор оптических данных, вычисляют индекс роста на основании набора оптических данных и вычисляют ожидаемое время уборки урожая на основании индекса роста. Указанная информация изображения содержит набор данных изображения по меньшей мере от двух устройств фиксации изображений, которые фиксируют набор данных изображения по меньшей мере из двух положений. Также способ содержит этапы, на которых вычисляют данные изображения параллакса на основании по меньшей мере двух элементов данных изображения из набора данных изображения, полученных от указанных по меньшей мере двух устройств фиксации изображений, и вычисляют индекс роста на основании данных изображения параллакса, при этом указанные по меньшей мере два элемента данных изображения фиксируют с двух углов и/или с указанных по меньшей мере двух позиций посредством указанных по меньшей мере двух устройств фиксации изображений. Изобретение позволяет рассчитать надлежащий индекс роста сельскохозяйственной продукции и оптимальное время сбора урожая. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 19 ил.
Изобретение относится к формирователям сигналов изображения. Техническим результатом является уменьшение эффективной емкости затвора усиливающего транзистора без изменения площади затвора для значительного уменьшения общей паразитной емкости. Результат достигается тем, что элемент 200 изображения содержит скрытый фотодиод 111, усиливающий транзистор 114 и передаточный транзистор 112. Передаточный транзистор 112 передает заряд, полученный за счет фотоэлектрического преобразования с помощью фотодиода 111, к затвору усиливающего транзистора 114. Усиливающий транзистор 114 формирует схему истокового повторителя, входом которого является затвор усиливающего транзистора 114, выходом - истоковая область. Усиливающий транзистор 114 сформирован во второй полупроводниковой подложке 206, по меньшей мере, электрически изолированной от первой полупроводниковой подложки 202, в которой сформированы скрытый фотодиод и передаточный транзистор. Подложка усиливающего транзистора соединена с истоком усиливающего транзистора. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 18 ил.
